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[成果] 99042336 北京
TN2 应用技术 电子器件制造
成果简介:特点:无辐射、非接触、多功能、高分辨率、高清晰度。技术指标:视场:≥12度×12度;温度分辨率:优于0.1C;空间分辨率:优于2毫弧度;帧时间:5秒;作用距离:0.2-无穷远;侧温范围:室温-100度(最高1400度);帧像素:256×256×8bits;显示方法:彩色256级,单色64级。适用范围:医学诊断:全身扫描、表面探查、无损无创;乳腺疾病早期普查诊断;静脉曲张、脉管炎等血管疾病的诊断;盆腔炎、附件炎等妇科疾病诊断;皮肤烧伤、冻伤面积与深度的检测;断肢断指再植术前术后的检查。科研教学:集成电路板、印刷电路板热设计;热力学基础理论研究;复合材料制品的工艺研究及产品检测。工业交通:输电、配电、发电设备的热隐患、热帮障检测;建筑物和高低温容器、热力管道、工业窑炉的检测;港口、航道、锚地、水面污染全天侯监测。交货期:45天。价格:25.8万元。
[成果] 87209913 北京
O61 应用技术 自然科学研究与试验发展
成果简介:该介质薄膜偏振片采用了自行研制的高折射率薄膜材料五氧化三钛,利用冷阴极真空计和自动压强控制的反应蒸发技术获得了稳定的高折射率的二氧化钛薄膜。实现了对氧化物硬膜材料非λ/4膜厚控制,实际上制备的偏振片技术指标接近理论设计值。其技术指标:工作波长λ=1.064微米;工作角度θ=56.5°;P偏振光透射率Tp≥95%;消光比Tp/Ts>500;产品通了美国军标的环境试验。在光学系统中作为起偏器或检偏器,在特定条件下可以取代冰洲石偏振器件。已通过了正样鉴定。
[成果] 87209914 北京
TQ13 应用技术 基础化学原料制造
成果简介:该成果适用于红外光学系统锗、硅光学另件作增透膜,它采用离子镀技术镀制硫化锌薄膜,从而提高了硫化锌薄膜的耐磨性和抗潮性、即提高了锗硅光学另件对恶劣环境的适用性。镀制这种增透膜的锗硅光学另件的透光性能与用普通热蒸发法一致,耐磨性能提高一倍,抗潮性能提高8倍以上。
[成果] 87209918 北京
TN2 应用技术 电子器件制造
成果简介:该输出镜主要用于虚共焦非稳腔激光器。单模激光输出性能远远优于多模激光束,获得高质量的激光输出可采用稳定腔也可采用非稳腔,但使用稳定腔在腔长小于1米且单模工作时,可利用的激光晶体只有2-3毫米,因此,不可能在要求输出光束质量高的同时,又获得大的能量输出,利用非稳腔可克服这一困难,在各种非稳腔中,虚共焦非稳腔是最理想的一种,它可直接获得准直的高功率平行激光束。该输出镜为凹凸透镜,凸面中心镀有φ2毫米左右波长为1.06μm的全反膜,其反射率为R≥99.5%,两面其余部分镀1.06μm的增透膜,增透膜剩余反射率R≤0.2%。工艺中主要解决点膜周围轮廓清析、过渡带窄、膜层均匀、反射率高等优点。
[成果] 87209921 北京
TQ16 应用技术 石墨及其他非金属矿物制品制造
成果简介:该技术成果属于一项新颖的工艺诀窍,主要应用于红宝石激光棒的表面抛光。运用这项工艺决窍能很好地解决长期以来未能解决的红宝石激光棒高光洁度表面加工的技术难题,使表面光洁度达到B=Ⅰ级左右,较之传统工艺(一般只能达到B=Ⅵ~Ⅶ级左右)有了重大突破。随着晶体表面光洁度的大幅度提高,大大增强子激光棒抗光损伤能力,提高了激光器的输出功率和能量转换效率,有效地改善了激光器的工作性能。
[成果] 87209922 北京
TN2 应用技术 电子器件制造
成果简介:滤光片膜系采用λ/4及其整数倍的膜层厚度,用ZnS高折射率材料做中间层,用波长扫描法控制膜厚。该滤光片主要用于激光测距,用以压低背景噪声,提高信噪比,从而提高了测距能力。该课题着重解决了滤光片的稳定性,提高中心波长处的透射率,已实现的技术指标为:半宽度:Ⅰ型<45 ,Ⅱ型<30 ;峰值透射率:Ⅰ型≥70%,Ⅱ型≥55%;中心波长λ =1.0645+0.0015-0.0010μm,背景:在0.4~1μm内,光强度≤0.5%,一年内λ 漂移量<10 。从1979年~1987年6月止,共售出95片,经济效益为7万6千元。
[成果] 87209926 北京
TH7 应用技术 医疗仪器设备及器械制造
成果简介:该测试仪是大中小医院测定血红蛋白值的常规专用仪表。测定范围3~20g可扩展到1~30g,线性误差≤1%,变异系数≤1%,它采用了国外尚未采用的光电技术,有所创新,从而简化了结构、稳定性、长期可靠性、精密度等都有改进提高。从根本上克服了漂移,连续使用可在8小时以上,操作简便。该测试仪灵敏度高,并备有3g以上简便的可调标定,适用于测定血红蛋白的各种方法,并能结出符合国际卫生组织要求的统一数据。鉴定结论是国内领先,与国外同类产品相当,具有推广应用价值。
[成果] 87209928 北京
TN3 应用技术 电子器件制造
成果简介:碲锡铅是三元化合物,根据配比可以制备各种禁带宽度的半导体,具有较好的均匀性,适于制成8~12微米波段的红外探测器,可调激光器。由于均匀性好适于制备多元探测器阵列。利用汽相传输法制备单晶,定向以(100)面切割做衬底,采用液相外延能形成pn结做成红外探测器。用于红外成像、遥感、前视、油污监测等应用。晶体解决了拉晶管真空度,获得了平底生长无籽晶的单晶。液相外延解决了设备、选取了合适的母液配比和生长工艺,克服了表面镶嵌和粘料的难关,生长出高质量的外延膜。利用光刻工艺,热压焊的方法制出高性能的红外探测器。Dλ (λ=10μ)=2.03×10 CMHz /W,居国内领先地位。
[成果] 87209931 北京
TN3 应用技术 电子器件制造
成果简介:锑化铟红外光伏探测器是现阶段在3-5μm波段应用最广的红外敏感器件。用液相外延的方法生长n -p结制作红外光伏器件具有工艺简单结构稳定均匀性好量子效率高等特点,锑化铟液相外延n -p结是在p-InSb单晶片上外延生长n InSb层形成同质结∮捎冢? 层是外延生长的因此晶格完整性好结区平整。又由于p-n结两边的杂质浓度差大,因此是较理想的单边突变结。对外延层生长特点,工艺参数与生长的关系,外延层中的杂质分布及衬底的影响等都作了较深入的研究,用该外延片制作的器件性能为:16元线列R ~4MΩ-90KΩD (500,1000,1)=(0.65-1.2)×10 CmHz /W;单元φ1mmR ~1MΩD (500,1000,1)=1×10 CmHz /W。
[成果] 87209933 北京
TN3 应用技术 电子器件制造
成果简介:该探测器主要用于接收3~5μm波段的红外辐射并把它转变为电信号。它可用于红外制导,搜索跟踪成像测量等红外系统中做敏感元件,是红外系统的核心部件。该探测器在77K下工作,其工作原理是利用光生伏特效应,即光照后产生电子空穴对靠扩散到P-n结附近在结电场作用下,P区光生电子进入n区,几区光生空穴进入P区从而形成光生电流。主要解决了材料参数确定,成结工艺和表面钝化工艺从而使探测器性能达到D (5μ1K.1)≥5×10cmeps /w,R ≥1×10 v/w,R A≥10 Ωcm 。还解决了77K下工作的杜瓦瓶结构以及动态性能和可靠性,保证了探测器工艺稳定性能可靠。能小批量生产。多年来提供10多个单位各种类型器件。
[成果] 87209935 北京
TM2 应用技术 电线、电缆、光缆及电工器材制造
成果简介:该项成果主要用于YAG激光晶体棒成形及孔加工,也可用于其他硬脆材料等孔加工、棒成形。该项成果采用了超声旋转加工方法完成,采用金刚石工具。加工时,工具除了作高速旋转(1000~3000r/min)外,还作超声频(20KH 左右)振动。主要解决了细长金刚石工具设计、制造、安装及多种加工工艺问题。主要技术指标:加工直径φ3-φ10mm,最大长度>100mm,直径精度<0.03mm,椭园度<0.008m,锥度<0.01mm,加工速度(玻璃)>100mm/min。仅从晶坯上多加工出晶体棒及多回收晶坯余秆两项单机年效益30万以上。能准确按晶坯上精选部位取棒,保证了晶体棒质量。提高工效约10倍,缩短加工工序,大大减轻劳动强度。
[成果] 91218390 北京
TN3 应用技术 电子器件制造
成果简介:该探头是扫描干涉仪的关键传感器,可代替价格昂贵的致冷型碲镉汞探测器。HRD-2型热电探头脉冲上升时间小于0.1ms(时间常数<0.05ms)。该研究所在国内首先将快速响应、高温工作、高灵敏度热电探测器应用于激光测试,并获得了成功,填补了国内产品空白。用它配套的05100干涉仪达到美国伯利公司产品水平(CF1600IR)(CF1200IR),精细常数Fe=138。
[成果] 91218428 北京
TM93 应用技术 [通用仪器仪表制造, 电子器件制造]
成果简介:该仪器用于中小功率激光测量。它利用铁电材料的热电效应制成,是目前理想的激光功率能量测量手段。与光电型比较,有宽平坦响应光谱(紫外~远红外)、宽线性范围特点;与量热型比较,有灵敏度高,响应快特点。它设计结构合理,采用等温结构和铁电陶瓷材料,承受功率高;用电路元件补偿方法,提高热稳定性;调制器设计独特;电路便于调试;制晶片用双面磨工艺,面均匀性达98.5%,使用效果好。该仪器是国内采用热电探测器首先研制成功和设计定型的大面积宽量程热电相对型激光功率计。填补了国内产品空白。其主要指标达到80年代美国同类产品水平。
[成果] 91218442 北京
TN2 应用技术 电子器件制造
成果简介:碲镉汞光导红外探测器在接收到红外辐射信号时,能将光信号转换成电信号。它具有探测率高、响应率大、响应时间快、空间分辨率和温度分辨率高等特点。已用于多谱扫描、热成像、水文地质、红外平面扫描干涉仪、激光接收、高能物理、外差接收、夜视、遥感、电站地质探测及海上油污探测等方面,国外进而用在激光通信、特殊军事及空间技术上。其响应率、响应时间、峰值波长、贮存液氮时间等主要性能指标,达到美、英、日(1980~1984年)报道的同类产品先进水平。目前为国内领先水平。
[成果] 91218443 北京
TN2 应用技术 电子器件制造
成果简介:该瓶用作低温工作的红外探测器结构并做致冷剂的容器。产品采用氩弧焊封接可伐环、玻壳内壁镀银用活性炭和锆石墨吸气剂,提高了密封性能并长期保持真空度。玻壳用模具化成型,专用工装夹具保证质量,尺寸精度达0.3~0.8毫米,同心度达0.3~0.7毫米,提高了一致性和生产效率。液氮贮存时间为:小型6.5小时,大型9.37小时。该产品在模具化成型工艺方面居国内领先地位,产品达到国外同类产品水平。
[成果] 91218456 北京
TN2 应用技术 电子器件制造
成果简介:该激光器用于大型光学经纬仪和雷达天线上加装激光测距机的发射部分,也可用于科研和工艺试验。主要技术性能指标为:输出能量>170mJ;半宽≤7ns;能量输出不稳定度≤6%。采用恒温措施,能在-40~+55℃下正常工作。采用双稳定调整机构,提高抗冲击、抗振动性能,满足野外恶劣环境下使用的要求。采用相交圆柱面聚光器和截紫外脉冲氙灯,提高了激光器效率和寿命。该激光器在国内领先,并达到国外同期、同类商品的先进水平。
[成果] 91218534 北京
TN2 应用技术 [电子元件制造, 电子器件制造]
成果简介:该研究所利用双频外差技术,解决了国内外差器件NEP(噪声等效功率)参数的测试。该技术设备包括高精度激光电源、激光稳频装置、光学组合系统、宽带的碲镉汞器件低噪声宽带放大器和高灵敏度的频谱仪。该装置采用被动稳频技术,其频率稳定度为10<'-7>~10<'-8>,NEP的测试极限达到10<'-20>W/Hz。它是研制光混频器件必不可少的检测手段,不仅可为8~14μm波段的外差器件性能进行评价,还可为制造工艺提出改进意见。该技术可用于相干光雷达和光外差通信。经多年使用,其性能稳定,重复性好,操作方便。该测试装置填补了国内产品空白,在0~400MHz范围的NEP探测极限达到国际先进水平。
[成果] 91218190 北京
TH7 应用技术 光学仪器及眼镜制造
成果简介:TiO是优质、稳定、高折射率光学镀膜材料,可用于镀制可见光及近红外各种光学薄膜,如:增透膜,分光镜,反射板,偏振片等。材料折射率在2.2~2.4间(波长在1微米),可进行选择。经理化分析,杂质如铁、钴、镍、钒、铬、锰、铜、钼等总含量优于德国麦克化工厂的产品,小于20ppm。该材料在国内由该研究所首先研制成功,填补了国内产品空白。
[成果] 91218216 北京
TH7 应用技术 医疗仪器设备及器械制造
成果简介:该仪器用于肺癌、胃癌等癌症的普查诊断,具有探穴和进行穴位测温及反映穴位温差的功能。已对2000余病例进行对比测试,符合率70%左右。穴位温度测量范围0~39.99℃,穴位温差测量范围0~±19.99℃。仪器具有较高的灵敏度、稳定性和抗干扰能力;测试时能保持接触压力和时间的恒定;测量数据数字显示,自动记录打印,方法简便速度快;对被测者无损伤,无痛苦,无辐射;易于推广;为国内外首创。
[成果] 99005505 北京
TH7 应用技术 专用仪器仪表制造
成果简介:结构形式:激光发射器采用YAG脉冲激光器发射器,光电探测器采用高灵敏度 雪崩光电二极管作光电探测器,激光器采用IGBT逆变电源,激光器冷却采用循环液体和散热器,测距机头为气密结构;激光发射器:激光脉冲功率≥20MW;激光脉宽(半宽)7~8ns;光束角(经发射望远镜后)~1.7mrad;重复频率1~20pps;激光接收器:接收口径120mm;探测器C30950E型APD组件;探测灵敏度~1.4×10<’-8>W;距离跟踪最小波门:±80m,可以自动扩展;测距能力:采用消光比检测法,采用国际上通用的消光比检测测距能力,052首舰二台消光值≥64dB;052后续舰二台消光值:65~66.1dB。实际测距能力在大气能见度为20km,目标有效反射面积0.1m<’2>,作用距离:最远测距9km,稳定值为8~8.5km。对靶艇测距,最远作用距为20km;测距精度:±5m;工作环境温度:-30℃~+60℃;具有较好的电磁兼容性。
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