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[成果] 0800320160 北京
TN4 应用技术 专用化学产品制造 公布年份:2007
成果简介:国内所生产的高纯盐酸均采用高温蒸馏的方法,该方法的缺点是对设备材质要求高,安全性差,生产成本高,连续化生产难度大,不适合工业化规模生产。气体吸收法就是工业无水氯化氢通过低温精馏精制,然后再经气体纯化、洗涤,用纯水吸收得到高纯度的盐酸。气体吸收法制备高纯盐酸的突出优点是:设备及工艺路线都很简单,生产能耗低,产品质量高,操作简便,产量大,可以规模化生产。该所此次完成的气体吸收工艺制备超纯盐酸技术成果是通过承担“十五”国家“863”超大规模集成电路配套材料重大专项-ULSI用超净高纯试剂的研究课题,利用该系统中气体高纯氯化氢气体来源方便的优势,与北京化工二厂合作完成的一项新技术,该项技术已经在该厂建成年产千吨级规模的生产线,现已投入生产。该项成果的完成,标志着中国超大规模集成电路配套用超净高纯盐酸将可实现国产化,从而结束长期以来进口的局面。
[成果] 0500950780 北京
TN3 应用技术 电子器件制造 公布年份:2005
成果简介:一、成果内容简介:1.成果内容简介:紫外光刻胶是电子工业中大规模集成电路微细加工过程中不可缺少的基础性关键材料,其应用性能的优劣直接影响着电路线宽的粗细和成品率的高低。它又分为紫外正型光刻胶和紫外负型光刻胶。(1)BP-215紫外正型光刻胶:它是指在紫外光照射后经一系列处理后所得图像与掩膜版一样的抗蚀剂,目前电子工业使用的正胶主要是重氮萘醌-酚醛树脂系正胶。BP-215紫外正型光刻胶具有分辨率高、抗干法腐蚀强、耐热性好及碱性水溶液显影、去胶方便等优点。(2)BN-310紫外负型光刻胶:紫外负型光刻胶是指当紫外光照射经一系列后处理所得图像与掩膜版相反的一类抗蚀剂,目前电子工业中应用的主要是环化橡胶系负胶。BN-310紫外负型光刻胶具有感光速度快、分辨能力高、抗湿法烛刻能力强等优点。2.关键技术:(1)液体胶的环化技术及环化橡胶的质检方法。(2)交联剂的工业化生产技术。(3)高纯度添加剂的合成技术及最佳添加量的确定方法和相应的分析测试方法。(4)负胶最佳配方的确定方法及相应的应用实验技术。在环保方面,经主管部门的监测,证明试剂所三废符合国家排放标准。BP-215紫外正型光刻胶、BN-310紫外负型光刻胶经北京市科委认可的查新单位查新证明,各项应用性能指标达到国外80年代末的先进水平,在国内居领先地位。二、经济、社会、环境效益及推广应用前景:“八五”期间,试剂所对中试的薄弱环节进行了技术改造,加速了“七五”攻关成果的生产化转化过程,共生产正胶3吨,负胶30吨,配套试剂120吨,总销售额近1000万元。“八五”期间研制成功的新型系列紫外负型光刻胶主要是替代华晶双极改造线和华越生产线使用的OMR-85-SFF-35负胶、HR-200胶,在实现国产化后,每年可创销售收入500万元左右,且可以保证生产线的及时使用,同时节约50多万美元外汇。所研制的紫外正型光刻胶可满足2-3微米的技术生产化和1微米技术研制的需要。为华晶CMOS新线和国内新上的几条引进线所需正胶逐步实现国产化奠定了坚实的基础。因此,BN-310系列紫外负型光刻胶、BP-215紫外正型光刻胶的研制成功,不仅具有显著的经济效益和社会效益,而且其市场及推广应用前景也十分广阔。三、成果转化的可行性:“九五”期间,在“八五”攻关成果的基础上,根据国内大规模集成电路生产厂家的需要,结合北京化学试剂研究所的实际情况,使BP-215正胶形成5t/a的规模,负胶形成20t/a的规模,为华晶、清华大学等生产线提供所需的光刻胶。
[成果] 0200780127 北京
TN3 应用技术 专用化学产品制造 公布年份:2002
成果简介:该产品主要用于电子工业中大规模集成电路的制作和分立器件、电力半导体器件等的制作。该产品包括BN-303系列30CP-F、3-CP-SR、60CP、100CP等。主要技术性能指标:分辨率、抗蚀能力、粘附性、热稳定性、显影留膜率、感光速度等都达到日本同类产品OMR-83胶的水平。完全能替代进口胶,用于大规模集成电路,分立器件,电力半导体器件的制作。
[成果] hg06073063 北京
R28 应用技术 中成药制造 公布年份:2001
成果简介:该课题为消栓胶囊新工艺研究。消栓胶囊采用了在中药制剂中很少采用的两个定量和两个定性的质控指标,保证了该药品的质量。消栓胶囊药效学试验、毒理学(急毒、长毒)的研究结果表明:采用中药西制研制的消栓胶囊毒性低,药效明显优于传统制备的中药。采用新工艺研制的消栓胶囊既发挥了补阳还五汤活血化瘀的特点,又保留了如蚓激酶等的溶栓生物活性,因而大大提高了该药的治疗效果。该成果应用前景广阔。
[成果] hg06073064 北京
R51 应用技术 医学研究与试验发展 公布年份:2001
成果简介:研制了人Ⅳ型胶原酶联免疫(ELISA)定量测定试剂盒,采用细胞工程—交瘤技术制备抗人Ⅳ型胶原蛋白单克隆抗体,在此基础上根据酶联免疫吸附试验原理,建立双抗体夹心法定量测定人血清中Ⅳ型胶原蛋白含量。该试剂盒中Ⅳ型胶原单克隆抗体特异性强(与人Ⅰ、Ⅲ及Ⅴ型胶原蛋白及其它血清蛋白无交叉反应),亲和力高(亲和常数达6.6×10^8/M~6.0×10^10/M),免疫印迹(west blotting)实验结果表明该单抗主要识别Ⅳ型胶原蛋白的三螺旋中心区。单抗细胞株稳定,连续培养传代6个月及冻存18个月后复苏能稳定地分泌特异性强、亲和力高的单抗。
[成果] 0400290320 北京
R57 应用技术 生物、生化制品的制造 公布年份:2001
成果简介:中国是乙型肝炎(HBV)高发区,其中有相当部分的人发展为肝硬化,最后导致肝癌。肝纤维化是肝硬化前驱的必经阶段。但肝硬化发展到相当程度时才可能通过“肝细胞功能实验”被识别、检测到,迄今主要靠肝活检。该法有许多弊病,病人难以接受。国内、外研究表明;血清IV型胶原是肝纤维化的重要指标,它与疾病的程度呈正相关。酶联免疫测定IV型胶原克服了肝穿刺法的缺点(取血50ul),又克服了放射免疫核辐射的污染。检测结果可对肝纤维化、肝硬化的程度及预后等作出准确的判断。该研究采用细胞工程--细胞杂交瘤技术获得了5株抗人Ⅳ型胶原蛋白的单克隆细胞株,该细胞株稳定、分泌的抗体特异性强、亲和力高。根据酶联免疫试验原理,建立了双抗体夹心法定量测定人血清Ⅳ型胶原量。该试剂盒的特异性强、灵敏度高(可检测16ng/ml)、精密性(CV)小于10%,线性相关系数可达0.98以上。此外,如标本溶血、乳糜血和血浆等均不影响测定结果。对126例肝病患者用国产与进口(日本)试剂盒进行测定,并对每个病人进行肝穿刺、电镜病理检查,确定肝纤维化程度的研究结果指出;两种试剂盒对肝纤维化2级以上、3级以上的诊断,在敏感性和准确性方面具有相似的结果,与肝纤维化程度呈正相关r=0.4115,P<0.01。
[成果] hg06096983 北京
TQ42 应用技术 专用化学产品制造 公布年份:2000
成果简介:近几年来我国集成电路飞速发展,其主要标志为集成度越来越高,因而对生产集成电路所需的化学试剂的要求也相应提高了。为满足大规模集成电路及半导体器件等生产加工的需要,北京化学试剂研究所研制成功了BV-Ⅱ级超净高纯试剂。该产品是采用化学、物理方法处理,并选择最佳提纯方法进行提纯,在超净环境下经过滤获得的。其主要特性是金属杂质和非金属杂质含量受到严格控制,均在ppb级,大于2μm的颗粒≤100个/100t。BV-Ⅱ级超净高纯试剂已开发出20个品种,包括氢氟酸、氟化铵、盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、双氧水、冰醋酸、氨水、甲醇、无水乙醇、异丙醇、丙酮、乙二醇、丁酮、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯、环己烷等,其各项性能指标均达到或超过日本关东同类产品ELSSS级试剂的标准。北京化学试剂研究所还建成了年产50tBV-Ⅰ级超净高纯试剂的中试车间,产品满足了16~64K集成电路研制和生产的需要。BV-Ⅱ级超净高纯试剂的研制成功,填补了国内空白,其水平已达到国外80年代初期同类产品的水平。
[成果] gkls055832
TN3 应用技术 公布年份:1998
成果简介:该成果主要由感光剂、树脂、溶剂、添加剂组成,采用两步法合成高邻位树脂、高酯化度感光剂等关键合成技术,添加表面平整剂技术,解决了4英寸硅片涂布时出现条纹的关键性问题。建立了一系列从中间体到成品的分析测试方法和应用测试方法,经多家用户应用实验,证明其应用性能达到了正胶攻关合同技术指标,可以替代相应的进口产品。三废治理措施合理可行,目前已形成年产5~10吨的规模。
[成果] gkls022753
TN2 应用技术 公布年份:1995
成果简介:该项目研究的BP-213紫外正型光刻胶主要用于电子工业中大规模和超?大规模集成电路、电子元器件及光学机械加工工艺的微细加工。在研究过程?中,采用改变酯化物结构的办法使强感光波长向短波长方向移动;用多羟基?二苯甲酮代替三羟基二苯甲酮以改善显影特性分辨能力及提高耐热性;改变?树脂的结构、分子量及分子量分布,提高粘附性、耐热性和抗干法腐蚀性;?加入染料减少光晕现象及提高反差;正胶中加入三乙醇胺、烷基咪唑、1-?羟基-2烷基咪唑或者含硝基的芳香化合物来达到正转负的目的;正胶中加?入表面活性剂、溶解增强剂以及抗条纹剂等来改善光刻胶的涂布和显影性能?。该光刻胶经用户多次应用及在生产线上应用证明,具有如下特点:1.有?优良的膜厚均匀性,膜厚-转速关系与国外相应产品基本一致。2.显影留?膜率高,优于美国的AZ-1450j胶。3.分辨率高,在膜厚1.0μ?m时,能刻出1.0~1.5μm的线条。4.抗蚀性与粘附性与AZ-1?405j相当,干法腐蚀优于AZ-1450j胶。紫外正型光刻胶的研制?成功,对我国大规模集成电路的研制与生产起到较大的促进作用,解决了一?项关键性的基础材料,在国内处于领先地位,并具有批量生产的能力。?
[成果] 87203891 北京
TQ57 应用技术 [专用化学产品制造, 印刷]
成果简介:⒈该产品用于制造印刷用PS版及印刷电路。⒉将特制的树脂和选定结构的重氮萘醌磺酸酯感光剂溶于溶剂中,再经净化处理即为成品。⒊建立了稳定的合成工艺路线,改变了树脂组成,提高了产品质量,建立了较完整的分析测试方法。⒋技术指标:共分四个型号,应用实验均为合格。表格未列入⒌本产品质量在国内处于领先地位,及时满足了印刷工业的需要,为印刷感光液的国产化做了有益的工作。
[成果] 87202724 北京
TQ42 应用技术 专用化学产品制造
成果简介:1.MOS级试剂是制作大规模集成电路的关键基础材料之一,同时也适用于要求高纯和无尘化学试剂的尖端科学技术的各个领域。2.采用化学处理、精馏、提纯和超净过滤等技术进行制备。3.着重研究了空气净化,包装材质选择,痕量杂质分析方法和液体中颗粒的测定方法,从而解决了MOS试剂的生产问题。4.本产品含非金属杂质相当ppm级,含金属杂质相当ppb级,含尘埃微粒符合ASTM“0级”标准。5.北京化学试剂研究所在国内首先研制成功22个品种,质量达到国外同类品种水平,填补了国内空白,为我国电子工业的发展做出了积极贡献。
[成果] 99000694 北京
TG1 应用技术 [金属表面处理及热处理加工, 专用化学产品制造]
成果简介:该所研制的BHJ93系列化学试剂主要包括用于各种部件的加工处理的缓蚀剂,镀镉光亮剂、铝处理剂,铝促进剂,铝腐蚀剂,铜纯化液。主要技术关键是确定各品种的组成及配比,以满足应用性能的要求。各项技术及应用指标完全达到进口产品的指标。
[成果] 99030453 北京
TN2 应用技术 [电子器件制造, 专用化学产品制造]
成果简介:紫外负型光刻胶是电子工业集成电路、分立器件等海峡 细加工过程中所必须的关键性基础化工材料之一,主要用于图形转移过程中基片的光刻处理。该系列负胶主要包括BN-302、BN-303、BN-308、BN-310等,可满足不同工艺的要求。该系列负胶在多种基片土均具有良好的粘附性,抗湿法腐蚀性能良好,实用分辩率可达2 ̄3μm。主要技术指标如下:外观:浅黄色透明粘稠液体;留膜率:>80 ̄90%;水份:≤0.03%;金属杂质:<1ppm;颗粒:0.2μm滤膜过滤。技术水平:该系列负胶的各项应用性能指标均可达到国际上八十年代末、九十年代初的先进水平。市场前景:根据中国电子工业“九五”发展规划,预计对负胶的年需求量可达150 ̄200吨,市场前景广阔。最高级别奖励:1996年获化工部科技进步二等奖。投入产出:年产规模15吨,总投资200万元;其中设备费100万元;年产值300 ̄400万元;年利税70 ̄100万元。
[成果] 99030454 北京
TN2 应用技术 [电子器件制造, 专用化学产品制造]
成果简介:紫外正型光刻胶是电子工业中大规模集成电路、分立器件、液晶显示器件等微细加工过程中所必须的关键性基础化工材料,主要用于图形转移过程中对基片的光刻处理。BP系列紫外正型光刻胶包括BP-212、BP-213、BP-215、BP-218等不同的系列。BP系列紫外正胶具有良好的粘附性和优良的涂层均匀性,不同固含的正胶可形成不同的涂层厚度,满足不同工艺的要求,并具有良好的显影宽容度。主要技术指标如下:外观:红色透明液体;留膜率:>95%;金属杂质:1ppm;水份含量:<0.5%;颗粒:0.2μm滤膜过滤。技术水平:该系列正胶达到了国际上八十年代末期的先进水平。市场前景:根据电子工业“九五”发展规划,预计集成电路、分立器件及液晶显示器件等微细加工的年需求量可达150吨左右,市场前景广阔。最高级别奖励:1996年获化工部科技进步三等奖。投入产出:年产规模5吨,总投资:210万元,其中设备费80万元;年产值250 ̄300万元;年利税60 ̄80万元。
[成果] 99030455 北京
TN2 应用技术 [电子器件制造, 专用化学产品制造]
成果简介:超净高纯试剂是电子工业大规模集成电路微细加工过程中所必须的关键性基础化工材料,主要用于集成电路芯片的腐蚀和清洗,它的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有重要的影响。BV-Ⅲ级超净高纯试剂包括20个品种:硫酸、氢氟酸、氢氧化铵、过氧化氢、盐酸、硝酸、磷酸、氟化铵、冰醋酸、异丙醇、无水乙醇、丙酮、甲醇、丁酮、环已烷、乙二醇、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲苯、二甲苯。主要技术指标如下:颗粒:≥0.5μm颗粒≤25个/ml;金属杂质:≤10ppb;产品质量符合国际SEMI-C7的标准。技术水平:BV-Ⅲ级超净高纯试剂的技术指标达到了国际SEMI-C7的标准水平,即达到了国际上九十年代初的先进水平,在国内居领先地位。市场前景:根据电子工业“九五”发展规划,承计年需求量在1700吨左右,市场前景十分广阔。最高级别奖励:1996年获化工部科技进步三等奖。投入产出:年产规模100吨;总投资260万元,其中设备费120万元;年产值300万元;年利税约70万元。
[成果] 99025467 北京
TQ57 应用技术 专用化学产品制造
成果简介:IA、IVA阳图型PS版感光液是为满足中国生产出口PS版的需要而研制开发出来的新产品,它是以酚醛树脂等为主要成分,通过改变感光树脂、成膜树脂的结构,并添加增感剂、稳定剂等系列添加剂,经过一定的配制工艺配制而成。按中国原有的PS版感光液,其特点是感光速度快、分辨率好、显影宽度大、反差好、涂布性能好、色变明显、稳定性强。IA、IVA阳图型PS版感光液经过扬州高钜印刷器材有限公司、鞍山华钜公司、承德德友印刷器材有限公司等用户在其生产线上的大批量实用考核,证明各项性能指标达到了国外同类产品(日本KH—1966、KH1980)的水平,在中国居于领先地位,而且已在出口PS版的生产线上大批量使用,完全替代了进口产品,从而为国家节约了外汇,并为该所创造了较大的经济效益。到目前为止,已经生产该产品20吨,销售收入达250万元,利税可达80万元,预计95年可生产销售30吨左右,创销售收入达300多万元,利税将达100万元,而且随着PS版行业的发展及出口PS版量的增大,对感光液的需求量也将逐步增加。因此,不仅具有广泛的市场前景,而且经济效益和社会效益也将会有较大的增长。该成果已获北京市科技进步二等奖。
[成果] 90212753 北京
TQ42 应用技术 专用化学产品制造
成果简介:低尘化学试剂专门适用于5μ以上电子器件的加工工艺,用作清洗剂、氧化剂、腐蚀剂等。该套试剂共几十种。我国自1980年以来开始引进各种规模的有关电子方面的生产线,而这些生产线上所用的各种配套试剂都是进口的。为解决有关配套试剂的国产化问题,该研究采用各种综合手段进行提纯以除去有害金属杂质,其低尘化学试剂产品经十几家用户在生产线上大量使用,证明其各种应用性能指标都达到了国外同类产品水平,填补了国内一项空白,替代了进口产品,满足了我国集成电路对配套试剂的需要。该试剂1989年生产60吨,创产值70万元,利税达50万元。按年产150吨计算,该产品可为国家节约外汇40万美元。
[成果] 92215479 北京
TM2 应用技术 电线、电缆、光缆及电工器材制造
成果简介:紫外光刻胶是电子工业中大规模集成电路及电力半导体器件微细加工中所用的关键性基础材料。我国电子工业大规模集成电路生产线,微细加工所使用的紫外光刻胶,需依赖进口,影响国内生产。经过5年的试验研究,解决了一系列关键技术问题,使BN303紫外负型光刻胶生产化,建成了年产15吨负胶的生产装置。研制成功BN303系列化产品(应用性能相当于日本的OMR-83负胶水平)、新型紫外光刻胶BN308胶(相当于日本OMR-85负胶水平)、及相应的配套试剂。该胶经清华大学等单位在生产线上多次应用,证明质量稳定,性能良好,收到了显著经济、社会效益。
[成果] 99050948 北京
R28 应用技术 [中成药制造, 医学研究与试验发展]
成果简介:该发明及一种治疗脑血全栓疾病的中成药制备方法,它将原料黄芪、当归、赤芍混合先用乙醇提取脂溶性药物,其渣川与川芎、桃仁、红花混合继续用水煎煮提取水溶性药物,合并后浓缩制粉再与地龙用乙醇提取的药物制粉混保,制成中成药,该方法采用中药西制,可使药笺有效成分提取完善,并能充分了挥药效作用。
[成果] 6000005064 北京
TQ15 应用技术 基础化学原料制造
成果简介:紫外负型光刻胶主要用于电子工业大规模集成电路及分立器件制作过程中的微细加工,是大规模集成电路制作所不可缺少的关键性基础化工材料。“八·五”期间我所承担并完成的BN-310紫外负型光刻胶的研制任务,是国家重点科技攻关项目,主要是用于大规模集成电路2~3微米技术的制作。其技术特点是:粘附性好、感光速度快、分辨率高(最高可达1.4~1.5)抗湿法腐蚀能力强等。研制成功的产品经过中国华晶电子集团公司、华越微电子公司等单位的实际应用考核,证明各项应用性能指标均达到了日本OMR-85和美国HR-200负胶的水平,也就是当今世界最先进水平。我所研制成功的BN-310紫外负型光刻胶已经形成年产15吨的规模,自研制到现在,已经生产负胶40吨,配套试剂150吨,销售收入已达1100万元,利税达到400万元。“九·五”期间,我所将在“八·五”攻关成果及中试生产规模的基础上,进一步扩大生产规模到40吨/年,到时预计年可创经济效益1200万元,利税纱?00多万元,其应用前景十分广阔,经济效益十分显著。另外,在形成预订规模后,国内电子工业集成电路及分立器件生产厂家所用负胶可50~80%实现国产化,每年可以为国家节约外汇150~200万美元。BN-310紫外负型光刻胶的研制成功,结束了国内高档负胶长期依赖进口的局面,填补了国内高档负胶方面的一项空白,其社会效益也是十分显著的。
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