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[成果] 1900010578 四川
TN304.054.4 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2018
成果简介:微波、毫米波和光通信晶圆集成材料仍然是一个挑战。单晶石榴石只能长成石榴籽型小颗粒,不能满足集成化微波与光通信系统对大尺寸单晶薄膜的需求。美国和俄罗斯均采用有铅助熔液相外延方法,在Mg: GGG大晶格常数衬底上外延1-2英寸的单晶薄膜。这种有铅助熔会导致薄膜缺陷密度大、重污染、高晶格失配率等问题。该项目组1995年从俄罗斯引进这一晶体设备与技术,经过近20年的基础探索和技术突破,已在大尺寸无铅助熔液相外延单晶薄膜方面超越美俄技术水平。研究内容包括:(1)首次无铅液相外延出大尺寸光通信BiLuIG磁光单晶薄膜:提出了一种Bi+Lu共掺杂新配方和“缓冲法”技术,克服了无铅液相外延工艺中熔体精度偏高,薄膜均匀性差的难题,成功制备出3英寸的高质量单晶BiLuIG薄膜材料;(2)发明了大尺寸微波单晶旋磁薄膜降低损耗及吸收的新方法,成功研制出厚度在100mn-100μm的低损耗微波单晶膜,解决了国际上自旋波微纳器件和体波集成器件急需的低阻尼系数材料问题;(3)建立集成薄膜器件物理模型,基于研制的单晶薄膜实现了器件及模块的原位集成,在微波段、光波段及太赫兹频段范围成功应用。 该项目共包括40项授权专利,其中微波与光通信旋磁集成材料的制备工艺获得15项专利技术,同时将旋磁材料应用在微波器件/结构、太赫兹结构/器件和磁光器件中等,共获得25项专利技术。 该项目突破了磁光中单晶材料的无铅生长技术的“聚晶”难题、3英寸微波旋磁单晶材料的低损耗瓶颈技术,获得了大法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸单晶薄膜。满足了国内在磁光、微波及毫米波/太赫兹集成器件方面对磁光及旋磁微波晶体材料的需求,摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。(1)建成了我国第一条大尺寸微波/磁光单晶薄膜液相外延的生产线,最大尺寸达到3英寸,单面薄膜厚度达到100mn-100μm。(2)单晶薄膜具体微波和磁光参数:4πMs=1500-1750Gs,ΔH=0.3-2.00e,Θf≥1.6-2.1度/μm@633nm。(3)掌握了单晶石榴石薄膜在磁光、微波和太赫兹器件中的设计、制备和测试工作。 该项目组批量制备的3英寸微波和磁光系列单晶薄膜已提供国内中电集闭、核九院、航天二院等在微波通信、强激光、航天、航海、图像制导等领域应用,解决了我国强激光“低空卫士”系统的急需,也已提供给美国阿贡国家实验室、麻省理工学院、Delaware大学、美国东北大学、清华大学、北京大学、天津大学、同济大学等多家国内外研究机构,同时提供给锦冠和威频科技公司,用于磁光隔离器件和微波磁调谐器件中,获得了很好的经济效益。
[成果] 1900010644 浙江
TN305.92 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2018
成果简介:项目属于半导体材料、特种功能金属材料、有色金属及其合金材料学科,属于计算机、通信和其他电子设备制造业的电子元件及电子专用材料制造行业。 超高纯金属溅射靶材是制备电子薄膜的的关键材料,以其纯度高、电学性能优异、品质稳定性强等优势,在半导体、平板显示器等行业获得大规模应用。但长期以来我国的超高纯金属溅射靶材一直被美、日的跨国公司所垄断,依赖进口严重。 项目在国家科技重大专项、国家自然科学基金、国家863计划、电子信息产业发展基金等共同资助下,开展了超高纯金属溅射靶材制备技术及应用研究,攻克从金属材料制备、晶粒晶向控制、高端焊接、精密机械加工和表面处理、清洗包装、评价检测的完整的靶材成套技术,取得161项发明专利,荣获浙江省技术发明一等奖,填补了国家产业和技术空白。基于项目技术的突破,国家五部委发文:进口靶材的免税期到2018年底结束。项目主要发明点有: 1、发明了超高纯金属溅射靶材晶粒尺寸和织构及其均匀性的精细调控技术:发明了多维大变形量金属锻造技术,大压降量精密控制交叉轧制技术,晶粒尺寸及均匀性精细调控的再结晶热处理技术,解决了大尺寸靶材轧制应变在厚度方向分布不均匀、超高纯度导致的金属室温形变再结晶、晶粒粗大和异常长大及大尺寸靶材形变织构不均匀等技术难题。 2、发明了异种金属大面积高结合率焊接技术:发明了抑制再结晶低温扩散焊、真空电子束焊、超声波强浸润钎焊等多种焊接技术,设计定制了大型热等静压机、带热板油压机、高真空电子束焊机、带加热翻转钎焊平台等国产化设备,解决了焊接工件材料之间原子充分扩散、界面氧化、材料应力变形及组织变异问题。 3、发明了超高纯金属溅射靶材精密机加工技术:发明了特制高强度合金刀具、喷雾冷却润滑系统、多道次低进刀量车削、专用工装、创新金属表面自动化喷砂熔射等技术,发明了大面积多侧面无重叠连续滚花技术,解决了高纯材料加工易变形、表面易划伤、断肩不连续等难题。 项目制订了国家标准2项,有色金属行业标准9项,浙江制造团体标准1项,企业标准(含客户端式样书等)562项,发表论文18篇,建成了年产50000枚靶材的生产基地,在半导体180-16nm技术节点、平板显示器G4.5~G8.5世代的国内外主流厂商,如台积电、中芯国际、格罗方德、京东方、华星光电等实现批量应用,取得量产订单。2015至2017年6月合计销售85019万元、利润11340万元,具有显著的经济效益,并助力江丰电子在A股创业板成功上市。 项目有效提升了我国集成电路、平板显示工艺及材料技术的自主创新能力,推动了我国电子信息行业的技术进步,引进了一批靶材相关高端人才。国家02专项办特聘专家蒋守雷、滕敬信、复旦大学教授张卫、京东方副总裁张羽对项目作出科学评价:达到国际先进技术水平,产品满足国内外主流厂商应用需求。
[成果] 1800140257 江苏
TM205.2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2018
成果简介:电线电缆是指用于电力、电气及相关传输用途的材料。中国电线电缆总产值已超过美国,成为世界上第一大电线电缆生产国。国内电线电缆挤出生产线收线机采用半自动收线装置,由于中途需停机人工卸装盘,存在耗电、耗时、增加劳动强度、降低生产效率的弊端。 该项目主要技术突破和创新包括: (1)将放线盘支撑轴改为空心轴,在线盘支撑轴内的转动支承设计有芯轴,使用驱动电机与芯轴传动连接;使用铸铁制造的甩桶罩,罩壁厚度超过15毫米;线盘支撑轴机械结构的设计和铸铁材质的甩桶,减少了放线阻力和同时将导线 甩动时的噪音降低到最低。 (2)实验出最佳张力轮直径以及调整张力轮进线角度,使张力轮对导线的控制力达到理想的状态,避免线缆在张力轮上的打滑现象,从而使张力装置对导线的控制力稳定可靠。 (3)使用伺服电机主动驱动印字轮,通过系统控制 使印字速度与线缆速度保持同步工作状态;增加压力调节装置,解决印字轮与压轮间 压力不稳定的问题;增加油墨溶剂监控控制,可自动调整油墨粘度。 (4)采用喷淋冷却的方式代替浸入式冷却,提高线缆的降温效果;使用电机驱动的导轮主动控制线缆进行,解决张力增大的问题,保证了线缆线径质量。 (5)在原吹水器的基础上,增加了吹风干燥器、抽吸干燥器,由单独的漩涡气泵提供风力从上下两个方向进行干燥的功能;在进行验证后,并增加了一套冷凝装置用于冷凝水汽保证气体的干燥,又再次提升干燥效果。 (6)设计快速换色机头系统,通过采用液压转换结构,使机头在正常运行中,不用停机便可随时调换辅机工作与填充色母料;实现了生产线不停机随时切换挤出电线的表面颜色的功能。 (7)改进全自动双头成圈收线机的成圈头设计,采用开合式瓦片状的设计,利用铰链替代轨道带动瓦片动作,成圈头下降时瓦片打开压住线头,收线完成后成圈头上升瓦片关合,方便线卷脱落;该方案不仅降低了 成圈头工作时磨损情况,也大大提到了线圈脱落的成功率。 该项目获得授权专利36项,其中发明专利5项。该项目产品价格低廉,成产效率高,可节约大量的人力成本,其基该技术指标达到国际先进水平,具有较强的国际市场竞争力。项目关键技术的掌握与应用,提高了生产效率获得国内外用户的认可,已销售多台,其中外销与外资客户的比例超过40%,近几年来很多台机器已经出口到东南亚、印度、南非、巴西与欧洲等国家,产品获得了广泛的好评和业界的认可,为中国电线电缆行业作出了重要贡献。
[成果] 1900010627 北京
TN304.054.46 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2018
成果简介:该项目属于电子与通信技术学科的半导体材料与器件技术方向。氮化物宽禁带半导体是实现短波长发光器件和高频大功率电子器件的核心材料体系,在半导体照明、新一代移动通讯、国防军工等领域有重大应用,是全球高技术竞争和战略性新兴产业发展的关键领域。氮化物半导体外延制备是器件和系统的基础和核心技术。由于GaN同质衬底的稀缺,迄今氮化物半导体制备的主流方法是蓝宝石等衬底上的异质外延,存在巨大的晶格失配和热膨胀系数失配,由此导致的外延材料中高缺陷密度成为氮化物半导体技术发展的关键瓶颈,需结合涉及大失配异质外延体系的衬底技术、外延技术及外延层/衬底相互作用规律加以解决。该项目在863、973等国家和地方科技计划的持续支持下,围绕蓝宝石衬底上氮化物半导体大失配异质外延的缺陷和应力控制这一重大问题开展了系统研究,发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底(以下称为PSS)新技术和外延生长新方法,制备出质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料,建立了较为完善的氮化物半导体/PSS大失配异质外延技术体系,并实现了大规模产业应用,有力推动了我国氮化物半导体乃至第三代半导体技术和产业的发展。 该项目主要技术发明点包括:(1)发明了光子准晶结构Si02/Al203复合PSS技术,通过引入位错阻挡机制降低GaN缺陷密度、通过提高界面折射率差提升芯片光提取效率,产业应用统计数据表明新型PSS上LED芯片较常规PSS提高出光效率5〜8%;(2)发明了一种刻蚀和沉积动态调控的二次掩膜PSS刻蚀方法,解决了刻蚀速率和刻蚀选择比难以同时提高的难题,刻蚀速率和选择比均比常规方法提升约1倍,进而实现了一套制造效率比常规技术提升约30%的PSS大规模产业化制备新技术和企业/地方标准;(3)发明了一种纳米PSS上AIN侧向外延方法,解决了PSS上A1N合拢厚度大、晶向扭曲严重的问题,AIN外延薄膜位错密度降至2.3x108cm-2,是迄今国际报道最好水平,并研制出内量子效率位居国际前列的AlGaN深紫外发光量子阱结构;(4)发明了一种InN边界温度控制外延方法,解决了大失配条件下随外延厚度增加InN龟裂和质量退化问题,InN外延薄膜室温电子迁移率提高到3580cm2/Vs,是迄今国际报道最高值。 该项目成果得到了国际同行的高度评价。国际半导体技术权威评论网站《SemiconductorToday》对相关成果先后两次给予专门报道和评价,国际顶尖晶体生长专业期刊Cryst. Eng. Comm.先后两次以封面论文发表相关成果,包括诺贝尔奖获得者在内的多位该领域国际知名学者对该项目成果给予了引用或评价。项目成果共获得国家发明专利授权31件,发表SCI收录论文73篇.在该领域国际学术会议上做邀请报告25次。经中国电子学会鉴定认为“该项目成果技术创新特色突出,关键技术达到国际领先水平”。项目成果培育出目前全球规模最大,集PSS研发和生产为一体的高新技术企业,近三年累计销售超过12.7亿元,新增利润超过1.6亿元,占据国内市场份额40%以上,并大量出口海外名牌企业,实现了我国氮化物半导体及其量子结构外延用高品质PSS产业从无到有的跨越。
[成果] 1800230022 河北
TN304.05 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2018
成果简介:该项目属于材料科学领域。新型亚稳材料是人类发现新物质和新材料的重要源泉,具有许多常规稳态材料所不具备的特殊性能。该项目针对新型亚稳晶体的设计、合成与物性,开展了具有原创性和系统性的研究。 主要成果如下: 1、金属性共价晶体硬度微观模型的创建。利用此模型计算的已知过渡金属碳化物和氮化物理论硬度与实验值一致,并预测了实验合成的新型PtN2和OsN2材料硬度。本模型的建立进一步完善了共价晶体硬度微观模型,解决了具有金属性的过渡金属碳化物和氮化物的硬度计算难题,为具有金属性的新型亚稳材料的硬度研究提供了一个半经验理论方法。 2、新型亚稳晶体的理论设计及物性研究。设计了新型超硬碳Cco-C8、四方T12结构的硅、锗相,解释了实验上长期未知的碳、硅和锗相。提出了压缩碳和氮化硼纳米管束来设计新型超硬碳和氮化硼亚稳材料的新策略。设计了具有奇异导电特性的系列超硬碳和氮化硼亚稳材料。设计出一系列直接带隙的新型硅亚稳同素异形体,为实验合成出能够显著提高太阳光转换效率的这类硅材料提供了理论指导。乌克兰的Nina V. Krainyukova合成出一种蜂窝状的碳材料,其结构类型与课题组设计的新型碳结构一致;美国的Timothy A. Strobel合成出与课题组设计的直接带隙硅结构相似的Si24晶体。 3、新型亚稳晶体的高压合成。利用高温高压实验技术,合成了导电的CaB4单晶、高硬FeB4和导电、高硬、超不可压缩的Re2C多晶块材等多种新型亚稳材料。采用理论计算与实验相结合的方法,确定了这些亚稳材料的晶体结构;利用课题组的金属性共价晶体硬度微观模型计算得到的FeB4和Re2C硬度值与实测值非常吻合。其中Re2C晶体的硬度与红宝石相当,其体积不可压缩性与单晶金刚石相媲美,其c轴的不可压缩性超过了金刚石,具有重要的应用价值。 研究成果发表在Phys. Rev. Lett.、J. Am. Chem. Soc.、ACS Nano等重要期刊杂志上,获得国内外学术界的普遍认可和高度评价。8篇代表性论文总共被他引506次(Google),其中SCI他引370次,单篇最高SCI他引95次,相关工作被学术专著、综述和重要期刊如Nature Materials、Chemical Reviews、Progress in Materials Science等大篇幅引用,被国际重要杂志/网站予以专题评述和亮点报道,包括Materials Today、JACS Spotlights、PhysOrg、NPG Asia Materials、Chemistry World等。作为完成人的赵智胜于2014年获得河北省优秀博士论文奖、2016年获得河北省百人计划资助、2017年获得国家自然科学基金优秀青年科学基金和河北省自然科学基金杰青项目资助;王倩倩于2016年获得河北省优秀博士论文奖;胡盟于2017年获得德国洪堡学者奖学金。
[成果] 1900010595 湖北
TN05 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2018
成果简介:高性能宏微功能结构制造是先进电子制造研究领域的国际前沿,是穿戴式电子、新型显示、雷达组件等高端电子产品创新的重大需求。其面临的重大挑战是如何在非平面/大变形基板上大面积精确制造有机/无机微纳结构,满足光/电/力学等苛刻性能要求,实现纳米特征-微米结构-米级器件跨尺度高精度制造。针对大面积、大变形、非平面等宏微功能结构的高精高效制造技术难题,该项目经10余年研究,提出了“拉伸式”电流体喷印新原理,发明了多功能高分辨率电流体喷印新喷头、新工艺和新装备。主要发明如下: (1)揭示了电场-机械混合拉力作用下带电射流稳定飞行控制机理,提出“拉伸式”高分辨率电流体喷印原理。建立了泰勒锥-射流飞行-基板沉积的射流飞行全过程动力学模型,发明了基板速度对带电射流非稳态“鞭动”行为的调控技术,提出力控/螺旋电纺丝“拉伸式”电流体喷印原理,较传统“挤压式”热泡/压电喷印,喷印分辨率(200nm)和墨液黏度(1-10000cps)均提高了2个数量级。 (2)提出了“电场聚焦”和“多级电压”的电流体喷头设计与控制原理,发明了电流体喷印系列喷头。发现了泰勒锥锥尖带电射流的瑞利不稳定断裂现象,提出凸式电流体喷头的电场聚焦设计原理和多级电压独立控制方法,发明了阵列化/独立可控/双电极集成等电流体喷印系列喷头,在大面积基板上实现了点(直径﹤1μm)、直/曲线(线宽﹤1μm)、面(膜厚﹤50nm)高效喷印。 (3)发明了大面积微纳点阵结构、大变形纤维波纹结构、多面体共形直线结构等电流体喷印系列工艺,突破了高速视觉在线测量、精确定位、混合补偿等飞升级液滴精确调控技术,解决了量子点显示导光板大面积(>1m2)微米级扩散点阵列、柔性压电传感器相似纤维波纹结构(拉伸率320%,国际最好水平)、T/R组件多面体导电互连结构(体积缩小2/3,导电性提升3倍)等制造难题。 (4)国际首创了多功能高分辨率电流体喷印系列装备并实现产业化应用。研发了喷印轨迹规划、墨液流量驱动与工艺参数控制等装置,开发出穿戴式电子(柔性传感/俘能器)、新型显示(量子点导光板、RGB/TFE)、雷达组件(T/R组件、DAM微电路)等电流体喷印技术与系列装备,填补国内国际空白。 获国家发明专利31项、美国发明专利1项、软件著作权2项、国军标3项,发表SCI/EI收录论文25篇,出版国际上第一本电流体喷印英文专著。美国三院院士Rogers、新加坡工程院院士Lim、牛津大学You等认为:“突破原理性限制”,“独一无二优势”,“创世界纪录”等。专家鉴定认为“总体上达到了国际先进水平,电流体喷印分辨率等技术指标达到国际领先水平”。 成果已在中电科38所、43所和TCL集团华星光电、多媒体科技等企业应用,支撑了机载/星载/浮空器雷达等国防重点型号产品,研发的我国首台量子点曲面电视(色域NTSC110%,超过国际最好水平)获全球显示技术创新金奖,出口德国、英国、法国等。近三年,为应用企业新增销售额14.27亿、利润1.99亿。获2017年湖北省自然科学一等奖和2014年日内瓦国际发明展金奖。
[成果] 1800111626 浙江
TM205.2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:在国家西部大开发战略的引导下,西电东送工程加速发展、以及其他基础设施的开工建设,对电力电缆需求剧增,西部地区规模以上电线电缆企业迅速发展壮大,对电缆设备的需求也同步增加,该公司产品的市场前景广阔。电线电缆设备既是特定领域产品,又属于非标产品,每一套设备都根据订货单位要求不同而特殊定制,所以市场需求非常大。随着通信产业的迅猛发展,改造旧的生产设备以满足新的生产工艺和提高设备的生产效率成了电缆生产厂家的当务之急。中国电线电缆产品质量同质化严重,整体质量和耐用能力与国际市场同类产品有一定差距,主要由于生产工艺不完善造成。 针对此类现象,该公司自主研发的CLY500/30+36(高碳钢)钢丝装铠机,采用新型双通道-退扭与承重双轴分开,全齿轮(斜齿轮)退扭付强度高,更加耐用,研发了全新的数字化控制系统和人机操作界面,使得工人操作更加直观、便捷。随着该项目的完成,CLY500/30+36(高碳钢)钢丝装铠机产品将弥补中国现有高碳钢丝铠装设备多方面的缺陷,满足国内高效高质量电缆铠装的需求。 项目的实施,对提高中国电线电缆生产设备的技术水平有重要作用,符合国家相关行业政策,经济和社会效益明显。产品已经在多家大型电缆企业广泛使用和推广,反映良好,产品质量可靠。
[成果] 1700440745 浙江
TM203 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品主要由底座、上盖、刀片、内皮、力矩螺母及垫片等组成,通过优化绝缘弹性垫套结构和安装夹持工具,塑壳采用尼龙6T材料,胶衬采用硅橡胶材料,有效提升了绝缘穿刺线夹的绝缘性能、密封性能及压点的准确度;产品具有电气绝缘性好、使用寿命长、安装维护方便等优点,已获实用新型专利2项,技术处国内同类产品领先水平。
[成果] 1700240674 广西
TN304.054 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:课题来源:“水热法近本征态Bi12SiO2晶体光折变性能的优化及其机理研究(2013GXNSFBB053004)”是2013年下达的广西自然科学基金(青年基金)项目。项目总投资10万元,其中广西自然科学基金支持经费10万元。研究目的与意义:Bi12SiO20(简称BSO)晶体是反应灵敏度最高和响应时间最快的光折变材料,在光信息存储和光信号处理等领域具有很大的应用前景。用提拉法和坩埚下降法生长的BSO 晶体光学质量都较差,严重影响了其在光折变器件中的应用,同时由于晶体中存在较多的缺陷,使得研究其光折变机理存在过多干扰因素,因此至今关于BSO 晶体的光折变机理还没有确定的结论和理论模型。该课题组采用水热法进行了BSO 晶体的预研工作,已生长出了无色透明的近本征态BSO 晶体。该课题通过掺杂3d 过渡金属离子(V,Cr,Mn)来优化近本征态BSO 晶体,以制备出具有优良光折变性能的BSO晶体,并首次以水热法生长的近本征态BSO晶体为样本对BSO晶体进行过渡金属元素V、Cr剪裁作用下的光折变机理研究,从而建立有效的理论模型,为生长BSO 光折变晶体提供理论依据。创见与创新: 该项目在水热体系下进行了Bi12SiO20晶体的生长研究,进一步在水热法体系下进行了Bi12SiO20晶体光折变性能的优化研究,首次以水热法生长的近本征态Bi12SiO20晶体为样本对Bi12SiO20晶体进行了过渡金属元素V、Cr 剪裁作用下的光折变机理研究,研究结果有望推进Bi12SiO20晶体光折变器件的研究和应用,促进中国晶体材料在光电子领域的发展。该项目进行了水热法Bi12SiO20晶体微形貌、腐蚀像等的研究,在水热体系下对Bi12SiO20晶体光折变性能进行了优化研究,与此同时研究了水热法Bi12SiO20 晶体的电光、磁光性能,利用该晶体作为电压、电流传感元件,实验研究了其工频电压、电流传感特性。存在的问题:Bi12SiO20晶体在生长时易发育成球状,导致晶体利用率低,研究发现在较多的SiO2加入下,Bi12SiO20晶体朝扁平状发育,但还没有系统的研究。因此基于上述基础还需进行系统的研究,并探讨其生长机理。
[成果] 1800120381 陕西
V252.2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:重点针对民用飞机用AlMgScZr系列合金、铝基复合材料及Ti-6Al-4V合金等轻质高强韧铝、钛合金大型复杂构件的LCD和精密复杂构件的SLM开展研究,基于LCD所具有的大熔池、较高加热/冷却速率和较强的沉积热积累效应,以及SLM所具有的微熔池、超高加热/冷却速率和较轻的沉积热累积特征,明晰这两类增材制造技术的共性和差异,揭示材料、工艺及后处理对构件成形精度和组织性能的影响机制,突破轻质高强韧合金构件整体化增材制造的精确控形控性关键技术,在大型飞机研制中实现工程试用。拟开展的主要研究内容如下:(1)激光-金属交互作用下的非平衡冶金、凝固及组织演化机制。(2)激光增材制造非均匀组织调控和宏微观强韧化机理。(3)轻质高强韧合金的激光增材制造合金化机理。(4)激光增材制造非均匀快速热-力耦合行为及形变控制。(5)基于适航要求的激光增材制造质量控制与评价方法。
[成果] 1700240676 广西
TN304.054 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目来源与背景:“用于高重频电光调Q开关的大尺寸水热法KTP晶体生长研究”项目是广西科学技术厅以桂财教〔2013〕48号文件下达的广西科技开发计划项目,合同编号:桂科攻1348018-7。项目合同约定起止时间:2013年1月至2015年12月。项目总投资80万元,其中广西科技开发计划资助30万元,项目承担单位自筹50万元。项目背景:高重频、窄脉宽的高功率激光器在工业生产、科学研究、军事、医疗等众多领域具有广泛的应用前景,尤其在激光核聚变、激光测距、激光制导等激光军用武器及激光精细加工和超精细加工等领域具有举足轻重的作用。该项目基于该单位多年来水热法生长高抗灰迹KTP晶体的经验,提出进行大尺寸、高完整性KTP晶体的生长研究。国产化KTP电光开关的开发将改变国外产品占据国内国防、军事、尖端科研领域的现状,具有重要的战略意义。技术原理及性能指标:技术原理:项目采用温差水热法将室温下难溶于水的KTP原料在高温高压下的水溶液中进行溶解,并通过高低温差而引起溶质对流,使得溶解的原料在悬挂于低温处的KTP籽晶上进行重结晶,通过周而复始的过程,获得大尺寸的KTP晶体。性能指标:KTP晶体抗激光损伤阈值>5GW/cm<'2>(@1064nm,TEM00,10ns,10Hz),吸收率<100ppm/cm (@1064nm),<500ppm/cm (@532nm),光学均匀性<1.0×10-5。技术的创造性和先进性:通过采用变温法进行KTP晶体的生长、克服了在大口径高压釜生长KTP晶体时自发成核多、晶体开裂及晶体生长的不稳定性,现可批量提供口径为8×8mm、通光方向长度为10mm的KTP电光调Q开关(需要在一块原晶的一定尺寸范围内加工出同样大小的两块KTP晶块以配对使用);自主设计出一套KTP电光器件的装配装置(获发明专利授权),极大提高了配对晶体的消光比,达到500:1以上,远超过其他单位给出的RTP电光开关消光比值100:1。技术的成熟程度、使用范围和安全性:成熟程度: 利用该项目技术研制的水热法KTP电光调Q开关被成功用于某型号激光测距机以及频率达100kHz的高重复频率激光器。该项目技术已达到工程化程度,项目成果得到小批量的生产,并取得了一定的经济效益。使用范围:该项目开发的KTP晶体具有优异的电光性能,主要被应用于高重频、窄脉宽的电光调Q激光器领域。安全性:该项目在执行过程中无毒无害,不会对环境造成任何污染,由KTP制作的电光调Q开关对激光器控制或调制作用,不会产生任何安全风险,因此该项目成果在推广应用过程中不存在任何职业危害。应用情况及存在的问题:项目组研发的KTP电光调Q开关已用于工业的高重频激光器和军用某型号测距机上,打破了国外垄断,有效地解决了军用装备研制中核心器件的国产化问题。但与下游激光器公司的合作还不够紧密,需要加大力度尽快拓展KTP电光调Q开关的应用范围,同时还需不断优化KTP晶体的生长工艺,使在大尺寸范围内能够获得光学均匀的KTP电光调Q开关器件,从而满足不同客户的需求。
[成果] 1700430051 湖北
TN806 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:平面显示器的生产过程包括近百道工序,尽管其生产技术水平正在快速提升,还是不可避免地表现出一些视觉缺陷,Mura缺陷是一种最为常见但又无法避免的面缺陷。在所有的视觉缺陷问题中,色斑缺陷的修复一直是最为困扰平面显示行业的难题,尤其是大尺寸的LCD和任意尺寸OLED面板,因生产工艺等原因,色斑缺陷是制约良率的关键因素。平板显示行业已经初具规模,前沿的面板制造技术已逐渐从小尺寸向着大尺寸发展,然而随着面板尺寸的变大,面板越容易受到外力施压、静电破坏或原材料不良等因素而造成色斑。精测面板色斑修复系统是武汉精测为中电熊猫量身打造的针对色斑缺陷修复的解决方案,该系统主要用于色斑的检测、修复以及对修复的结果进行评估,需要配合硬件共同使用。精测面板色斑修复系统主要由UI、图像算法多线程处理模块、图像引擎通讯模块、图像信号发生器通讯模块、日志模块、配置处理模块以及相机操作模块组成,能够适用于绝大部分液晶显示面板的色斑修复过程,由于当今显示行业逐渐由LCD向OLED转型,该系统还需要调整为适用于OLED面板色斑修复的过程。该设备于2016年投入市场,已经产生了5000多万销售收入,并且精测面板色斑修复系统V1.1获得第三届楚天杯工业设计大赛三等奖。
[成果] 1800110085 浙江
TN305.2 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目提出的背景:蓝宝石(Sapphire)是一种氧化铝(α-Al2O3)的单晶,又称为刚玉。蓝宝石晶体具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性,强度高、硬度大、耐冲刷,因而被广泛的应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料。其独特的晶格结构、优异的力学性能、良好的热学性能使蓝宝石晶体成为实际应用的半导体GaN/Al2O3发光二极管(LED),大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等最为理想的衬底材料。GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。因此,大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。 随着国内LED MOCVD机台的大量增加,蓝宝石衬底的需求急剧增加。虽然4英寸蓝宝石单面抛光衬底晶片做出的芯片能够使用,但是白光发光效率较低。随着芯片倒装技术的逐渐成熟,若采用4英寸蓝宝石双面抛光衬底晶片,可以做到更好的芯片取光,因为双抛片背面没有遮挡,可以做好荧光粉的涂覆和光的提取,进一步提升取光。以及拥有更低的芯片热阻,可以实现好的热传导,提升了芯片散热能力。所以国内的MOCVD大厂,三安光电、华灿光电、晶元光电等已经开始采用4英寸双抛晶片。 项目产品的性能及用途:LED蓝宝石4英寸双抛晶片主要性能从晶体材料、晶片的晶向和表面形态满足MOCVD磊晶需求,达到了国际同行水平。 4英寸蓝宝石双面抛光衬底片主要用于大功率白光LED磊晶,主要客户有东晶博蓝特、江阴皓睿,台湾的德晶、隆达等客户。白光LED产品主要用于电视机背光、室外景观照明、路灯和室内照明等。国内主要磊晶厂商的衬底年需求量在50万片以上,随着新增机台的陆续达产年需求量将继续增加。 项目研究主要内容及技术难点:高亮度白光LED对于使用的蓝宝石衬底材料的表面晶向、总体厚度差、翘曲度和表面粗糙度都有严格的要求,特别是4英寸双抛晶片上的划痕,严格要求晶片以上的关键指标来提升磊晶的一致性,提升量产的工程能力。 项目产品技术创新点:4英寸蓝宝石双面抛光衬底片通过设备和工艺的开发,使产品的总体厚度偏差、弯曲度等指标达到了设计水平。在新产品开发过程主要有以下几个创新点: 1、通过调研和试验确定了聚氨酯研磨垫加钻石液的加工模式;又通过对比不同粒径磨料对加工效率和损伤层的影响,得出了最适合于双面精磨的磨料粒径为18μm; 2、通过对抛光液特性的研究,确定了抛光液最佳的活性温度是40~50℃,通过在双面抛光机抛光液桶内加装加热装置,使其提前达到活性温度并保持50℃进行加工,从而提升了加工效率。 项目产品客户开发及产品认定情况:4英寸蓝宝石双面抛光衬底片衬底材料在国内的东晶博蓝特、江阴皓睿等工厂进行了试用,各项指标都能满足他们的要求。国内厂商反应可以替代国外的高端蓝宝石衬底材料。 项目产品技术的市场前景预测分析:随着LED背光、LED照明市场逐步地国产化,近几年国内LED市场呈现了爆发式增长的局面,年均增长率达到15%以上。接下来随着对于高亮度的不断追求、小间距LED在显示领域的应用,以及蓝宝石作为衬底的综合优势下,未来蓝宝石市场还将继续保持高速的增长。 项目技术的推广应用、示范、扩散及辐射前景分析:通过4英寸蓝宝石双面抛光衬底片的开发,工艺技术水平的提升,为下一阶段进行6英寸双面抛光衬底开发积累经验。 总结:通过加工技术特别是双面精磨、双面抛光的创新,特别是在双面抛光方面,通过对抛光原理的研究、思维的拓展以及大量的试验,最终使抛光效率提升了一倍,并且表面质量没有下降,达到了生产4英寸蓝宝石双面抛光衬底片设计的技术要求。2014年送样经信息产业专用材料质量监督检测中心检验全部合格,在国内外客户端使用反应优良。已掌握了4英寸蓝宝石衬底双抛晶片的加工工艺,为后续开发大尺寸蓝宝石衬底晶片提供技术储备。
[成果] 1800010058 江苏
TN605 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:1、背景与意义:该项目的目标产品是2020恒温晶振,主要应用于无线基站、SDL/DSL电信系统、无线网络、航天通信、导航、光网络、卫星通讯等通信系统,为语音、数据、视频和多媒体业务信息等通信技术提供稳定频率源的关键元器件,具有广阔的应用市场。该项目的研发填补中国空白,能打破国外对该产品关键技术的垄断。 2、主要内容:1)、2020恒温晶振高精度低噪声晶体器件设计理论及方法;2)、2020恒温晶振高精度低噪声晶体器件先进制造工艺与技术。 3、创新点和水平:1)、采用热力学建模结合数字建模的设计理念,设计温度控制系统的能量传递模型和抗振系统模型。2)、运用流体力学和机械力学结合技术改进研磨工艺,确保晶片精加工成形的精确度,设计晶片全温电性能控制新工艺,抑制噪声的产生;设计抑制噪声电路,从而保证晶体的低噪声。3)、设计高频高速多器件同步自动测试方法与技术;设计温频测试、频率精度及老化测试系统。产品技术水平达到国际先进、国内领先。 4、应用推广情况:该产品主要运用在各类通信、物联网、可穿戴设备等产品上,已通过包括杭州裕成、海康威视、青岛唯科、中兴、美国PDI、北京瑞斯康达、14所、熊猫汉达、武汉中元、广州海格通信、中船715所等制造商的认可,市场前景良好。 5、经济效益、生态效益与社会效益:该项目2015年、2016年新增销售收入6616万元、利润972万元。该项目的建设有利于增加就业人口,带动相关领域的产生,打破国外封锁,提升晶体行业的整体实力,对构筑完整的电子信息产业链起到良好的支撑作用。
[成果] 1800110086 浙江
TN304.054.4 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目提出的背景:SOS(Silicon-on-Sapphire)是一个异质外延的过程,即蓝宝石晶圆上生长一层硅薄层(典型厚度小于0.6微米)。SOS隶属CMOS技术中绝缘体衬底上的硅外延技术(SOI)。因为与生俱来的耐辐射特性,SOS主要用于航天和军事应用。通常情况下使用的是高纯度人工栽培的蓝宝石晶体,通常是由加热分解硅烷,后使之沉淀于蓝宝石衬底上得到硅。SOS的优势在于其极好的电绝缘性,可有效防止杂散电流造成的辐射扩散到附近元件,几乎消除了存在于大量硅中的寄生漏电容。这使得晶体管的性能显著改善,因为这个电容不需要周期性充放电,也提供了更好的电路元件之间的隔离。 蓝宝石是一种人工合成的六方晶体,具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性,强度高、硬度大、耐冲刷,可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作,因而被广泛的应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料。其独特的晶格结构、优异的力学性能、良好的热学性能使蓝宝石晶体成为实际应用的发光二极管(LED),大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等最为理想的衬底材料。LED采用的蓝宝石衬底为大面C向(0001),而SOS采用的是大面R向(-1012),虽然只是一个晶向的差异,但其物理、化学特性却千差万别,整个制备过程也有着诸多的不同。随着国内硅外延技术的逐步成熟,市场上对4英寸R向蓝宝石衬底的需求量也越来越多。 项目产品的性能及用途:4英寸R向蓝宝石衬底主要性能从晶体材料、晶片的晶向和表面形态满足SOI技术需求,达到了国际同行水平。4英寸R向蓝宝石衬底主要用于制作SOS片,主要客户有北京微电子、中国电子科技集团第49研究所等客户。SOS广泛用于航空、航天等军事领域。SOS制作的半导体器件广泛用于3G、4G等通讯领域,主要用于制作高速器件。国内主要SOS厂商的衬底年需求量在30万片以上,随着新增机台的陆续达产年需求量将继续增加。 项目产品性能指标实现的技术难点:SOS对于使用的蓝宝石衬底材料的表面晶向、总体厚度差、翘曲度和参考边晶向都有严格的要求,特别是4寸R向衬底的晶向。严格要求晶片以上的关键指标来提升表面长硅的质量,提升量产的工程能力。 项目产品技术创新点:新产品开发过程主要有以下几个创新点: 1、通过切片线速率、用线量和切割时间的增加,使切割后的晶片厚度差、TTV、翘曲度达到C向衬底的水平; 2、通过退火温度与翘曲度的回归曲线图,选择了恰当的退火温度,使抛光后晶片翘曲度达到-15~0μm的要求; 3、在CMP抛光中,通过区分粗精抛以及选取了适合的抛光垫、抛光液,克服了R向晶片抛光速率低下的问题,使加工效率提升了2.67倍; 4、通过大量的实验确定了最优的4英寸R向衬底片清洗工艺,使其清洗的晶片Particle在200个以内,达到了客户开盒即用的要求。 项目产品客户开发及产品认定情况:半导体SOS用4英寸R向蓝宝石衬底在国内的北京微电子、中国电子科技集团第49研究所等工厂进行了试用,各项指标都达到了国内外的水平。国内硅外延厂商反应可以替代国外的高端蓝宝石衬底材料。 项目产品技术的市场前景预测分析:蓝宝石射频集成电路衬底市场容量小于LED衬底市场,但是可能随着SOS这种颠覆性的技术而发生变化;随着航空航天技术和超大规模高速集成电路的发展,以及国内硅外延技术的日趋成熟,对4英寸R向衬底的需求正在逐步增多;近两年SOS 在智能手机领域的渗透率快速提升,逐步挤占砷化镓芯片的市场份额。所以蓝宝石衬底的需求会快速提升,预计市场容量在20~30亿元。 项目技术的推广应用、示范、扩散及辐射前景分析:通过4英寸R向蓝宝石衬底的开发和推广,开启了对蓝宝石其他非主流晶向的市场应用和工艺储备。 总结:通过加工技术特别是晶棒加工、切片、退火、抛光和清洗的创新,退火制程中通过退火温度与翘曲度的回归曲线图,确定了最佳的退火温度,使抛光后晶片翘曲度都在-15~0μm;还在抛光制程中采用粗精抛,选用了适合的抛光垫和抛光液,提升了加工效率,达到了生产4英寸R向蓝宝石衬底片设计的技术要求。
[成果] 1700470151 北京
TN304.055 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:高质量超导薄膜制备的微波滤波器与普通金属滤波器相比,具有带内插损小、带边陡峭度高、带外抑制度高等优势。国内超导滤波器多采用进口薄膜,而国产大面积超导薄膜还存在一致性和均匀性不足等问题,其性价比也不具备优势。因此,寻找低成本高质量的大面积超导薄膜制备技术对高温超导膜的大规模应用开发和打破垄断具有重要的意义。 在科技部863项目、国家自然基金、航空基金、航天科技创新基金、科技部中小企业创新基金等支持下,在超导膜低成本大面积制备方面取得突破性进展,包括: 针对前驱液配方和工艺问题,提出了利用红外光谱对前驱液提纯过程进行控制,保证了前驱液的质量;针对超导膜热解处理时间长达十几个小时的问题,提出了向前驱母液中加入二乙醇胺等高沸点溶剂,有效的将前驱膜的热解时间降低为几十秒;针对超导膜易于潮解的问题,提出将Gd与Dy元素掺杂部分替代Y阳离子,有效解决了超导膜潮解的问题,提高了超导膜的性能。 针对化学溶液法制备的超导膜内部存在孔洞及缺陷这一普遍性世界难题,发明了离子束表面改性方法,有效消除超导膜的内部缺陷,提高了超导膜性能。为使制备的超导膜适用于多种技术衬底,提出采用离子束辅助沉积方法制备高质量的缓冲层,再采用化学溶液方法制备超导薄膜,保护层和电极则采用磁控溅射方法制备。有效兼顾了性价比,全套工艺路线属自主创新。 发明了气氛可控的新型批处理CVD设备。相关技术和产品美国严格禁运,因此独立设计制作了一套气氛可控热处理CVD系统,尤其对烧制薄膜的基片夹具进行设计,突破了大面积超导膜批量化制备的难题,单炉年产2英寸膜五千片以上。 针对超导膜测试的难题,发明了基于制冷机的系列自主超导膜性能检测设备,解决了传统测量设备严重依赖液氦进行40K-300K温区测量的问题,极大地节约了成本。 授权国家发明专利39项,发表论文60篇,著作1部。 制备的大面积高温超导膜成功应用于超导滤波器的制备,插入损耗最好达到了0.2dB,达到国际先进水平。在国际上首次实现低成本超导膜在超导滤波器制备上的应用。支撑了超导滤波器系统在第三代或第四代移动通信及无线系统的应用。联合北京鼎臣超导科技有限公司通过对批量化制备技术的集中攻关,切实降低了批量制备成本。超导膜产品应用到中科院物理所、清华大学、北京卫星环境工程研究院、南方电网高压所等多家单位,取得了重大的社会与经济效益。
[成果] 1700440744 浙江
TM203 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:产品通过优化穿刺金属刀片与力矩螺母组合结构、塑壳盖与绝缘上盖卡扣连接结构、新型壳体等,并采用新型密封垫材料。产品具有耐压强度高、安全性能好、使用寿命长、操作使用方便等特点,已获实用新型专利1项,申请发明专利1项,技术处国内同类产品领先水平。
[成果] 1700430044 湖北
TN806 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:项目来源于公司自选项目,该技术将DP解码多链路并行技术及分辨率自适应技术导入到液晶模组测试装置中,使得测试装置具备多类型信号接口,能自适应分辨率,支持超高分辨率信号检测。该实用新型将DP解码多链路并行技术及分辨率自适应技术导入到液晶模组测试装置中,使得测试装置具备多类型信号接口,能自适应分辨率,支持超高分辨率信号检测,属于改进型专利。基于该专利技术的液晶模组测试设备能同时提供LVDS、DP、V-BY-ONE三种信号接口,支持超高分辨率UHD(4K*2K)以及HSV(8K*4K)显示屏的检测,且能够根据液晶模组自动调整分辨率以自动适应不同类型的液晶模组。该专利运用于平板显示检测的在线\离线信号检测,用户可通过PC客户端、命令行或便携式远程控制盒进行操作,已处于稳定应用的阶段,该专利技术属于液晶模组测试领域,产品已广泛应用于京东方、三星、夏普、松下、富士康、友达光电等知名企业的TFT-LCM的产线、品保和研发等部门的相关点灯测试,该产品能够提高面板生产商的生产效率,节约其生产成本。2014年获得中国专利金奖,技术含金量较高。
[成果] 1700441371 浙江
TN05 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:简要技术说明及主要技术性能指标: 该项目JXP1200多晶硅线剖锭机利用线切割的原理,通过钢线和砂浆一次性将1160×1160×500的多晶硅切割成49块小方锭。该项目即可切割800kg的G6硅锭也可切割1200kg的G7硅锭,同时可根据企业要求升级为金刚线切割,节约资源,降低生产企业成本,因此该项目市场前景可观。该项目主要攻关内容: 钢线张力稳定性的研究。钢线张力的稳定影响了设备的切割质量,甚至影响了设备是否能够正常运行。因此,课题组将收、放线盘、张力控制装置、线导向轮及各个转向小滑轮装置进行合理分布,以保证钢线转向平稳、高速运行时无波动。张力控制系统中为增加传感器精度,采用了无接触型传感器,提高控制精度以保证高速运动的钢线张力稳定。 砂浆喷淋装置的研究。采用该公司特有的喷砂系统既减小了砂浆流量的浪费同时也减小了砂浆在切割过程中断流的可能性,确保了硅锭的切割质量。 切割室内切割头及立座的研制。在该设备上增加了配重装置,利用杠杆原理,以切割头立座为支撑点架起一支撑架,支撑架两侧安装滑轮,中间穿钢丝绳,钢丝绳一侧联接切割头前端,一侧联接配重块,从而达到平衡切割头重量的目的,从而减小对滚针导轨的作用力,延长设备的使用寿命,保证产品切割质量。 控制系统的研发。为保证整个设备运行的稳定性,电气控制系统采用德国西门子SIMOTION运动控制器作为主控制器,选用西门子高端伺服作为执行器,其它低压电器采用ABB等高端品牌,确保设备的切割精度及使用的可靠性。 该项目的主要技术性能指标: 加工硅块规格:1160×1160×500(mm); 切割头进给行程:620mm; 切割头工作进给速度:0~1.5mm/min; 钢线最大线速度:15m/s; 砂浆温度:≤25℃; 切割硅块尺寸:目标尺寸±0.4mm; 水平尺寸偏差:±0.2mm; 角度误差:90°±0.3°; 硅块表面粗糙度:≤12.5μm。推广应用前景与措施: 光伏发电从单位面积的发电成本和可以大规模生产安装的情况分析,晶体硅太阳能电池占据着光伏产业的主导地位,其中多晶硅电池占晶体硅太阳能80%以上的份额。工信部2012年印发的《太阳能光伏产业“十二五”发展规划》中提出“支持高效率、低成本、大尺寸铸锭技术”。多晶硅定向凝固铸锭炉的投炉量不断增大,从最初的240kg一直依次发展为450kg、650kg,G6的800kg,乃至于G7的1200kg,所以该项目JXP1200型多晶硅线剖锭机是市场的必然趋势。 JXP1200型多晶硅线剖锭机,通过不断的测试,同时通过在江苏协鑫硅材料科技发展有限公司进行生产切割测试,运行正常,各项性能指标达到设计要求。 该机生产的产品具有以下优点: 产高质优:与其他技术相比,它具有高产量,较小的切口损失,对锭的尺寸限制较少,以及具有良好切面质量等优点。 设备操作简单易懂:人机操作界面采用西门子高端触控屏,图标简单易懂;操作进行等级权限管理,能有效防止错误更改运行参数;实时监控设备运行情况,故障具有自诊断功能。 预留技术升级的空间:采用分体式安装方式,充分考虑升级到G8多晶硅线剖锭机的空间。
[成果] 1700550022 湖北
TN304.05 应用技术 电子和电工机械专用设备制造 公布年份:2017
成果简介:现有的多晶硅生产工艺中,三氯氢硅的制备过程由开始的热氢化技术的高能耗逐渐转化为近年来采用的低能耗的冷氢化生产技术,虽然电耗实现了大幅度下降,但是采用的冷氢化工艺由于技术不太成熟,转化效率虽然有一定提升,仍然处于低位,系统平稳性差,运行周期较短等。为了适应市场的需求,降低生产成本,提升经济效益,因而有必要提高冷氢化炉的运行效率。
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