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[成果] 1800120566 上海
TN7 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:开发了大偏转角度下可实现高反射效率和高衍射效率的硅基液晶芯片。开发了适用于通信波段的大折射率差、大介电常数与低吸收率的液晶材料,利用小像素尺寸的高分辨率硅基液晶芯片精确控制液晶折射率分布,通过大相位延迟硅基液晶芯片实现高反射效率(80%)和高衍射效率(55%)的空间光束大角度(4.5°)偏转;并通过优化渐变式折射率分布的液晶反射镜架构设计,精确控制出射偏转角,实现了满足8×16端口WSS器件需求的硅基液晶芯片。开发了低损耗的中心波长和带宽同步可调级联微环谐振器。开发了可以实现带内平坦度小于0.5分贝通道平坦与带边陡直滤波特性的级联微环谐振器;研究串联级联微环谐振器结构的游标效应,实现了大范围的中心波长可调;同时通过两级串联级联微环谐振器结构的“失谐”,实现滤波曲线大范围的带宽可调。开发了具有高消光比和高器件容忍度的偏振分束器件。通过偏振模式的转换与分离,利用Y分支光路分配的复用,实现芯片的偏振依赖要求。实现了高消光比和高器件容忍度的光栅辅助反向偏振分束器与基于弯曲波导耦合的超紧凑偏振分束旋转器,同时实现了TE偏振与TM偏振的分束旋转功能。开发的器件偏振转化效率高、耦合长度短、插损小、串扰值低。
[成果] 1800120682 山东
TN7 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:该项目从2008年研究至今,对有源电力滤波器的切换控制方法进行了系统研究,取得了可观的研究成果,在项目研究期间,项目组先后发表学术论文16篇,申请发明专利6项。项目前期,在单相有源电力滤波器的非线性切换控制研究中,针对线性控制策略造成的有源电力滤波器补偿误差,利用非线性动力学的切换系统理论,提出了一种APF切换控制的新方法。通过与传统线性电压控制策略进行仿真比较,结果验证了该方法的合理性和有效性。在单相有源电力滤波器的非线性切换控制理论基础上,结合APF的混杂特性和饱和非线性对系统稳定的影响,利用切换系统的特点研究了三相APF的饱和控制问题,通过引入切换系统和状态饱和稳定性理论提出了APF建模和控制的新方法。在前述研究基础上,为了提高并联型有源电力滤波器(Shunt Active Power Filter, SAPF)的电流跟踪性能,提出一种基于空间矢量脉宽调制(Space Vector Pulse Width Modulation,SVPWM)的并联型有源电力滤波器的电流跟踪控制算法。由于SAPF参考指令是电流值,而SVPWM参考指令是电压值,因此本研究根据电流电压内在关系将SVPWM控制算法与SAPF的参考指令电流相结合,通过改变SVPWM调制方式减少功率器件的开关次数,从而降低功率器件的开关损耗,提高控制性能。项目研究中期,在有源电力滤波器饱和切换控制以及空间矢量脉宽调制控制方法的基础上,研究了将切换和空间电压矢量控制算法相结合并应用于三相有源电力滤波器的方法。此外,考虑到饱和非线性对系统稳定的影响,该研究还将切换和空间电压矢量控制相结合的算法应用于考虑饱和限幅的三相有源电力滤波器的控制当中。在项目后期,先是针对基于李雅普诺夫的三相四开关APF切换控制方法进行了深入研究。该方法在复平面中进行控制,每个子系统确定一个误差电流变化率矢量。首先判定误差电流与每个误差电流变化率间的夹角关系,然后切换合适的子系统以满足稳定性理论。与三相四开关SVPWM调制算法相比,该算法省去了繁琐的调制过程,仿真和实验结果均验证了控制算法的有效性。接下来,为了提升有源电力滤波器功率器件的可靠性,项目组在三相四开关有源电力滤波器以及混合有源电力滤波器的基础上,提出了一种新型的有源电力滤波器拓扑结构,即三相四开关混合有源电力滤波器。并搭建了一台实验样机,仿真和实验均验证了所提拓扑的有效性。项目末期,项目组针对混合型有源滤波器的控制方法进行了更加深入的研究。基于backstepping的方法提出了一种应用于并联型混合有源电力滤波器(SHAPF)的控制方法,仿真和实验都验证了该算法有良好的稳态以及动态补偿效果。成果创新性:采用状态反馈的切换控制,实现直流侧电压和电流补偿的统一控制,省去了单独的电压控制环节,从而使系统简单,避免了控制系统参数的整定。加入饱和非线性环节,解决了APF不具备对输出补偿电流的过载抑制能力,同时引入的状态饱和稳定性设计,保证了系统的稳定性。提出一种可抑制电压畸变影响的谐波电流检测方法,即改进的单位功率因数UPF(unite power factor)谐波电流检测方法。此方法无需进行坐标变换,因此算法简单,并且当负载发生变化时,也有很好的动态响应性能。为减少电压畸变对系统的影响,将锁相环引入了谐波电流检测方法中,因此改进了UPF方法。研究了空间矢量脉冲宽度调制SVPWM(Space Vector Pulse Width Modulation)方法。三相并联型有源电力滤波器(SAPF)的参考指令是电流值而SVPWM参考指令是电压值,因此提出了如何用SVPWM跟踪控制SAPF补偿电流参考值的方法,并且通过构造Lyapunov函数,分析了SVPWM控制的SAPF的稳定性。研究了基于LCL滤波器的三相APF的SVPWM控制方法,并且根据基于LCL滤波器的SAPF的拓扑结构,找到了SVPWM的参考电压和三相SAPF参考电流之间的关系。通过二者之间的关系式,将SVPWM控制算法应用于基于LCL滤波器的SAPF中。并且通过构造Lyapunov函数,依据Lyapunov相关定理,分析了SVPWM控制的基于LCL滤波器的SAPF的稳定性。APF的非线性系统通过开关的控制可分为多个线性的动态子系统,成果将切换控制与空间电压矢量控制方法结合起来,设计了一种简单易行的算法。只需将三相电源电压分为六个扇区,然后利用李雅普诺夫函数方法及全局渐进二次稳定理论,找出一个非常简单的切换律,大大简化了算法。该算法由于合理的运用零矢量,因此明显的降低了逆变器的开关损耗。在实际工程中,各个参数都有额定值的限制,因此均会受到饱和非线性的影响。基于实际工程中出现的问题,提出了一种新的考虑饱和限幅的三相APF的控制方法。根据Lyapunov相关定理、凸集理论、凸组合条件将切换控制和SVPWM控制方法相结合,为考虑饱和限幅的三相APF找到了一种新的、简单的稳定性判据。该算法由于合理的应用零矢量,因此明显的降低了逆变器的开关损耗。通过详细分析空间电压矢量图、误差电流矢量以及误差电流变化率矢量之间关系,把复平面引入到李雅普诺夫稳定性定理。在此基础上提出了一种应用于具有容错作用的三相四开关APF切换控制策略,并且设计了合理的直流侧电压保证了系统的稳定性。针对三相四开关有源滤波器直流侧电压较高的缺点,考虑到无源滤波器和有源滤波器两者的优点,对原有的三相四开关滤波器改进,提出了三相四开关混合滤波器。该型四开关APF直流侧电容只需承受很小的电压,改善了原来容错四开关滤波器的不足,同时该拓扑也可作为混合六开关滤波器的一种容错拓扑。成果独占性:目前对APF控制策略的研究通常都是先进行线性化的处理,忽略非线性部分,然后再统一建模得到APF的周期平均模型。如无差拍控制、单周控制等控制方法都是基于周期平均模型提出的。但是APF是一类非线性切换系统,所以上述控制方法无法精确的获得APF的运动规律,存在着参数依赖性严重、控制器实现复杂、有较长的时间延迟导致的补偿效果不理想等问题。同时,APF的非线性系统通过开关的控制可分为多个线性的动态子系统。因此,成果在研究中将SVPWM控制算法与切换控制算法进行了结合,同时申请了专利保护,技术难度较高,难以获取或复制。在实际工程中,各个参数都有额定值的限制,因此均会受到饱和非线性的影响。若超过系统的额定值,传统的处理方法是将设备切除或者设置设备以额定值运行。但是将设备切除成本较大,不经济。若设置设备以额定值运行可能会使原本稳定的系统变得不稳定,并且产生新的平衡点以及极限环等。基于实际工程中出现的问题,成果在研究中设计了考虑饱和限幅的三相APF的切换控制方法,同时申请了专利保护,技术难度较高,难以获取或复制。成果盈利性:该新型有源电力滤波器应用的被补偿的谐波阶次达到任意次,装置效率大于等于0.95,补偿效果大于总畸变的80%,不存在过载问题,当系统中谐波较大时仍可继续运行。系统阻抗与频率发生波动时,不会影响补偿效果,不会产生谐振现象,且对外电路的谐振具有阻尼作用,相比传统滤波装置,性能显著提高。成果持续性:项目先后针对单相有源电力滤波器的非线性切换控制方法到三相有源电力滤波器的饱和切换控制方法进行了深入研究。项目在单相有源电力滤波器的非线性切换控制研究中,针对线性控制策略造成的有源电力滤波器补偿误差,利用非线性动力学的切换系统理论,提出了一种APF切换控制的新方法,并进行了仿真实验,经过APF补偿后,电网电流已经近似补偿成标准的正弦波形,补偿电流几乎完全跟踪了指令电流。该初期研究阶段的实验结果已经达到了比较好的效果,为后续更高级别切换控制方法的研究及实验的进行奠定了坚实的理论和实践基础。项目组后期在切换控制研究基础上,已经着手研究三相四开关混合有源电力滤波器的控制方法,并取得了可观的成果。综上,项目具备较强的技术储备以及可持续创新能力及潜力。成果先进性:与国内外相关技术比较,应用切换控制方法的新型有源电力滤波器具备如下先进特点:1. 更高效率、更低损耗:(1)12 脉波变流技术,电流跟踪速度高、纹波低、损耗低;(2)DSP 与FPGA 协同控制,响应时间在80uS 以内;(3)谐波滤除率高,对目标谐波,有效滤除能力可达97%;(4)同时滤除多达20 种谐波,最高可滤除至64 次谐波;(5)精心设计的LCL 输出滤波器,保证效率更高,损耗更低。2. 更强适应能力:(1)先进的切换控制算法,不需现场整定参数,保证系统在各种复杂现场的快速性和稳定性;(2)先进的谐波电流检测算法,能够同时适用于三相三线APF 和三相四线APF,在电压畸变和三相电流不平衡的情况下仍能有效工作;(3)自动识别检测电网容性电流,可与电容补偿柜并联运行,不会产生谐振。3. 更多功能模式: (1)可设定的谐波分次补偿功能;(2)谐波无功综合补偿,具有“滤除谐波与无功”、“只滤谐波”、“只补无功”三种工作模式,满足各种配电系统补偿需求;(3)平衡补偿功能,可平衡各相之间的负载电流;(4)RS485 接口,标准MODBUS.RTU 通讯协议,计算机远程监控功能。4. 系统运行更加稳定可靠:(1)光纤驱动,安全、可靠、抗干扰能力强;(2)严格热设计,确保系统运行安全可靠;(3)FPGA 硬件逻辑保护,响应速度快,配合软件保护,实现多重保护功能;(4)输出容量满载后自动限流,无过载之忧;(5)故障自诊断功能;(6)历史事件纪录功能。5. 功率密度更高,安装维护更加简单:(1)变流器模块化设计,功率密度高、安装维护方便;(2)输出容量大,单机输出容量可达600A;(3)可以多机并联运行,满足各种补偿容量需求;(4)可选择的源电流或负载电流检测方式,便于现场安装。综上,该新型有源电力滤波器具备较强的市场推广及替代优势。
[成果] 1800120064 北京
TN4 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:围绕碳纳米管集成电路发展的主要问题,以实现低成本、高性能、低功耗、多功能碳基芯片为目标,在碳基及相关材料、器件制备及相关物理、系统集成等几个方向展开研究。主要研究内容包括:碳基纳电子材料,特别是碳纳米管材料的可控制备和加工;碳基纳电子器件及集成技术,重点解决这些器件规模集成所面临的问题,探索弹道对称CMOS电路在数字逻辑电路中的优势;碳基纳米光电器件与光互联。项目主要技术创新点:在碳纳米管可控制备、碳纳米管CMOS器件、高性能碳纳米管集成电路、碳纳米管级联光探测器四个方面取得了重要突破,主要成果包括:(1)高性能无掺杂碳纳米管CMOS器件。发展了一种无掺杂的碳纳米管CMOS器件制备技术,放弃了传统掺杂的方法,直接采用接触电极控制器件的极性。(2)碳纳米管集成电路探索。在碳纳米管电路设计、碳纳米管集成电路在规模和性能方面的优势和潜力等方面进行探索。找到了能够充分发挥碳纳米管器件特性的电路构建方式:传输晶体管逻辑(PTL)。(3)单一手性碳纳米管可控制备。提出了一种实现单壁碳纳米管结构/手性可控生长的方案。发展了一类钨基合金催化剂,其高熔点的特性确保了单壁碳纳米管在高温环境下的生长过程中保持晶态结构,其独特的原子排布方式可用来调控生长的碳纳米管的结构,从而实现了单壁碳纳米管的结构/手性可控生长,利用这种方法生长出了含量高于92%的(12,6)型碳纳米管(Nature,510,522-524)。(4)碳纳米管光电子器件。提出并采用非对称接触电极的办法构建了碳纳米管二极管,进而实现了高性能的发光和光电转换器件。
[成果] 1700240736 广西
TN6 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:产生电磁波吸收的方式很多,例如高阻抗表面、手征媒质外衣以及铁氧体材料等,但是这些材料都表现出各自的缺点:对于高阻抗地面,在电磁波传播方向需要金属层;手征媒质外衣的结构尺寸较大,与吸收电磁波的波长相当;铁氧体材料缺乏精确的调谐性能。采用新型超介质材料的结构单元具有亚波长尺寸,由此制作的微波/THz 波电磁吸收器能有效避免上述各类吸波材料的缺点,而且基于超材料的吸波器还具有结构小、重 量轻等优点。因此,开展微波/THz 波电磁吸收器的研究具有重要的理论和应用价值。尤其对于 THz 波,自然界又很难找到对其吸收效果好的材料,而在 THz 光谱检测、THz 成像等领域,需要在某一频段具有多频带吸收特性的电磁材料。另一方面,对微波/THz 波吸收器的研究主要集中在单一吸收峰和多层堆叠结构的范围内,这大大限制了吸收器的应用。基于此,该项目提出全面系统 地研究具有多带单层超薄结构的微波/THz 吸收器的新设想。分析吸收器吸收电磁波的物理机理, 探索实现具有多频带、高吸收率、对入射电磁波极化特性以及入射角度不敏感等优良电磁特性的 新型超介质吸收器的技术途径,并研制实验样品,开展实验研究。该项目的研究成果为研制新型 多频带微波/THz波超介质吸收器奠定理论和实验基础,并提供技术方案。
[成果] 1700240806 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:课题来源与背景:高容量、小体积是当今铝电解电容器发展趋势,根据平行板电容器静电容量公式,在电极间距和介电常数已经确定的情况下,要想提高比容就只有提高电极的实际表面积,而电极的实际表面积是由腐蚀发孔决定的,但是仍然存在一个问题就是腐蚀发孔不一定非常均匀,而且在箔的表面和孔洞里面都有很大部分过腐蚀,导致铝箔变薄、孔洞畸形甚至有一些串孔,这些在一定程度上都限制了比容的提高,因而在化成方面如果能让铝凝胶在电场作用力下反析于箔面,就能在一定程度上修补这些缺陷,相应地提高比容。技术原理及性能指标:该发明提供一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法,它能够修复铝箔在腐蚀生产过程中由于过腐蚀而造成的表面腐蚀过量、串孔、孔洞不均等问题,增加铝箔的表面积,达到提高比容的目的,通过铝凝胶反析法能够提高化成箔比容1~15%。该发明通过以下技术方案达到上述目的:一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法,包括如下步骤:第一步:腐蚀箔预处理,将腐蚀箔用纯水清洗干净放在460~580℃的高温中焙烧10~30min,取出冷却密封保存备用;第二步:含有铝凝胶的化成液的制备,将预处理后的腐蚀箔以0.05~0.10A/cm<'2>在化成液中形成10~30min,重复形成1~3次,此时该化成液为澄清状或为悬浊状,pH值为4~8之间,其中铝凝胶主要含有[AlO2]-、[Al(OH)4]-、[Al6(OH)14(OH)7]2-离子;第三步:将预处理后的腐蚀箔放在含有铝凝胶的化成液中按照常规三段化成方法进行化成。技术的创造性与先进性:该发明的突出优点在于:在化成过程中,铝凝胶反析于箔面,从而修复铝箔在腐蚀生产过程中由于过腐蚀而造成的表面腐蚀过量、串孔、孔洞不均等问题,增加铝箔的表面积,达到提高比容的目的,通过铝凝胶反析法能够提高化成箔比容1~15%。技术的成熟程度,适用范围和安全性:该发明提供一种提高化成箔比容的铝凝胶反析方法,它能够修复铝箔在腐蚀生产过程中由于过腐蚀而造成的表面腐蚀过量、串孔、孔洞不均等问题,增加铝箔的表面积,达到提高比容的目的,通过铝凝胶反析法能够提高化成箔比容1~15%。项目成果于2015年开始在生产线上逐步推广应用,技术达到成熟应用阶段。该发明技术主要应用于铝电解电容器用阳极化成箔的制造。应用情况及存在的问题:该发明技术成果已推广应用,形成了年产60万m<'2>阳极化成箔的生产能力,化成后每年可新增产品销售收入3200万元、新增利润310万元、新增税金91万元,具有良好的经济效益。历年获奖情况:无。
[成果] 1700240805 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:课题来源与背景:由于铝是非常活泼的金属,其表面非常容易生成保护性的氧化膜。为了生成垂直于铝箔表面生长的隧道孔,中高压电子铝箔必须具有{100}织构,为了获得{100}织构,铝箔需要在500-600℃进行长时间退火处理。然而,在该退火处理过程中,铝箔表面的氧化膜变得更为致密,成为后续电解腐蚀发孔的障碍。因此,在传统的中高压铝箔电解腐蚀发孔时,必须进行预处理将这层致密的氧化膜除去,形成新的含有大量缺陷的薄膜以利于隧道孔的形成。在电沉积锡晶核时,由于经过在500-600℃长时间退火的铝箔表面存在致密的氧化膜,因此不可能在其表面直接沉积出锡晶核。该发明的关键技术之一就是经过预处理除去铝箔表面的致密的氧化膜,形成新的含水薄膜。在电沉积锡的过程中,锡离子可以通过这层含水薄膜,在铝表面沉积出锡晶核。技术原理及性能指标:该发明涉及铝电解电容器用中高压阳极铝箔的制造领域。该发明将表面没有富集电位较正元素的中高压铝箔进行预处理,除去表面的氧化膜,或除去中高压铝箔表面富集电位较正元素的合金层,形成新的含水膜,采用快速电沉积,在铝箔表面电沉积出弥散的锡晶核。采用该发明的表面电沉积弥散锡晶核的中高压电子铝箔,在电解腐蚀中可以提高隧道孔发孔的均匀性,降低铝箔的自腐蚀减薄,因而可以显著提高铝箔的比电容和抗折弯性能。技术的创造性与先进性:根据铝箔的表面情况,该发明的中高压电子铝箔电沉积弥散锡晶核的方法可以分为两大类:第一类,采用表面没有富集电位较正元素的高纯中高压铝箔,可在高纯水、碱溶液、或磷酸溶液中、或电化学抛光液中、或硝酸溶液中进行预处理,除去表面的氧化膜,在铝箔表面形成新的含水薄膜,采用快速电沉积技术,锡离子可以穿透铝箔表面的含水薄膜,在铝箔表面沉积出弥散的锡晶核。具体过程:将不含铅的高纯铝箔置于温度为60-100℃的高纯水中水煮5~50秒, 或将不含铅的高纯铝箔置于温度为15~70℃浓度为1wt.% ~5wt. %的碱溶液中处理5~30秒,或在温度为15~70℃浓度为30vol. %~50vol. %的硝酸溶液中处理10~40秒,或在温度为40~70℃含有40vol. %~70vol. % 磷酸+30vol. %~50vol. % 硫酸1vol. %~3vol. % 丙三醇混合溶液中进行电解抛光处理,抛光电流密度为30mA/cm<'2>~120mA/cm<'2>, 抛光时间为10~60秒,或在40~60℃浓度为3wt. %~6wt. %的磷酸溶液中处理30~60秒,除去表面的氧化膜并形成新的含水膜。之后,将上述处理好的含有含水薄膜的铝箔置于电镀锡液中进行电镀,电沉积弥散锡晶核电解液成为:0.5wt. %~5wt. % 三水合锡酸钠0.05wt. %~0.2wt. % 醋酸钠;电镀使用温度为40~70℃,以石墨为阳极,以表面形成了新的含水膜的中高压铝箔为阴极,电沉积弥散锡晶核时铝箔带电进入电解液,其中电沉积的电流密度为25mA/cm<'2>~70mA/cm<'2>, 电沉积时间为5~30秒。第二类,采用铝箔表面富集电位较正元素的中高压铝箔,在碱溶液、或磷酸溶液、或硝酸溶液中进行预处理,除去中高压铝箔表面富集电位较正元素的合金层,在铝箔表面形成新的含水膜;采用快速电沉积技术,在铝箔表面沉积出弥散的锡晶核。具体过程:将含铅的高纯铝箔置于温度在30~70℃浓度为5wt. %~12wt. %的碱溶液中处理60~120秒,或在40~60℃浓度10wt. %~20wt. %的磷酸溶液中处理60~120秒,除去中高压铝箔表面富集电位较正元素的合金层,然后在温度为30~70℃浓度为30vol. %~50vol. %的硝酸溶液中处理10~40秒在铝箔表面形成新的含水膜。之后,将上述处理好的含有含水薄膜的铝箔置于电镀锡液中进行电镀,电沉积弥散锡晶核电解液成为:0.5wt. %~5wt. % 三水合锡酸钠0.05wt. %~0.2wt. % 醋酸钠;电镀使用温度为40~70℃,以石墨为阳极,以表面形成了新的含水膜的中高压铝箔为阴极,电沉积弥散锡晶核时铝箔带电进入电解液,其中电沉积的电流密度为25mA/cm<'2>~70mA/cm<'2>, 电沉积时间为5~30秒。该发明针对在铝箔表面沉积电位较正的疏松的金属薄层在阳极电解腐蚀中存在的问题,发明了在铝箔表面沉积弥散锡晶核的新方法。原方法存在的问题主要为:这种疏松的金属薄层虽然可以改善铝箔发孔的均匀性,但会加速铝箔表面的自腐蚀,导致铝箔的减薄,不仅不利于大幅度提高腐蚀箔的比电容,而且降低了铝箔的利用率和腐蚀箔的力学性能,在该发明中,通过使沉积的弥散锡晶核的面密度略微大于需要发孔的面密度来解决上述问题,其原理和技术优势如下:弥散锡晶核与铝箔之间构成微电池,在阳极电解过程中,这些微电池成为优先产生隧道孔的活性位置,可以控制发孔的密度,提高发孔的均匀性,降低并孔的发生,因而可以显著提高腐蚀铝箔的比电容。由于弥散锡晶核与铝箔之间构成微电池的数量比沉积疏松的金属薄膜的大幅度下降,除发孔位置外,铝箔其它表面的微电池很少,因此除发孔位置外,铝箔其它表面的自腐蚀减薄量下降,可显著提高腐蚀铝箔的利用率和机械性能。 采用该发明的沉积弥散锡晶核的铝箔进行阳极电解腐蚀时,由于铝箔绝大部分表面为高纯铝,因而对腐蚀溶液的杂质不敏感,即可允许腐蚀溶液中含有较高的杂质含量,不会造成显著的铝箔自腐蚀减薄,降低了铝箔腐蚀溶液工业控制的难度,可提高铝箔工业腐蚀产品的质量。该发明的沉积弥散锡晶核的方法可以作为制造中高压电子铝光箔的最后处理技术,制造新型的中高压电子铝光箔;也可以作为制造中高压电子铝腐蚀箔的前处理技术,制造高质量的中高压电子铝腐蚀箔。技术的成熟程度,适用范围和安全性:采用该发明的表面电沉积弥散锡晶核的中高压电子铝箔,在电解腐蚀中可以提高隧道孔发孔的均匀性,降低铝箔的自腐蚀减薄,因而可以显著提高铝箔的比电容和抗折弯性能。项目成果于2014年7月开始在生产线上逐步推广应用,技术达到成熟应用阶段。该发明技术主要应用于高压高容铝电解电容器用阳极腐蚀箔的制造。应用情况及存在的问题:该发明技术成果已推广应用,形成了年产60万m<'2>阳极腐蚀箔的生产能力,化成后每年可新增产品销售收入3000万元、新增利润300万元、新增税金90万元,具有良好的经济效益。该发明相对于传统的腐蚀方法,优势在于可以控制发孔的密度,提高发孔的均匀性,降低并孔的发生,因而可以显著提高腐蚀铝箔的比电容。与日本等发达国家相比还有一定差距,主要表现在产品性能参数一致性和稳定性不及日本同类产品,仍需努力改善提高。历年获奖情况:无。
[成果] 1700240329 广西
TN4 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:SOI(Silicon On Insulator,绝缘衬底上的硅)功率器件具有高的工作速度和集成度、可靠的绝缘性能、强的抗辐照能力以及无可控硅自锁效应,广泛用于电力电子、工业自动化、航空航天和武器装备等领域。SOI功率器件的击穿电压由电场沿耐压长度进行电离积分计算得到,取决于纵向耐压和横向耐压中的较小者。SOI横向耐压的设计原理可沿用成熟的硅基原理和技术,例如RESURF(Reduce SURface electric Field,降低表面电场)、横向变掺杂、场板和超结结构等。而由于介质埋层阻止了器件的耗尽区向衬底扩展,所以SOI纵向耐压只能由顶层硅和介质埋层承担。但是受器件结构、自热效应以及工艺的限制,顶层硅和介质埋层都不能太厚,所以导致纵向耐压较低,成为限制横向SOI功率器件和集成电路发展及应用的主要原因。一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构,包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层,其不同之处是:还进一步包括多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区;这些高浓度固定电荷区由介质材料形成,且电荷极性为正;这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部,且相互之间呈间断设置;在横向耐压方向上,每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。 多个高浓度固定电荷区的间距呈线性分布,进一步提高漂移区掺杂浓度,降低导通电阻。高浓度固定电荷区的材质为介质,可以直接采用离子注入的方式实现,而且注入的正离子在介质埋层中扩散系数非常小,近似为固定电荷,几乎不受后续高温工艺得影响,同时与常规CMOS/SOI工艺完全兼容,工艺实现简单;此外,由于高浓度固定电荷区的材质为介质,与现有的改变介质埋层形状的结构相比,不会采用过多的绝缘材料,也就没有附加的自热效应产生。
[成果] 1700241221 广西
TN4 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:该课题来源于广西自然科学基金面上项目。课题背景:是考虑到医学应用中有线监护的繁琐不便而传统的无线方案又难以满足现代医学检测的需要,该课题基于超宽带(UWB)低功耗、低辐射、高速率、抗多径干扰以及频谱共享等优点,研究了UWB 医疗无线体域网相关技术, 内容包括:UWB 通信体制、信道建模、UWB 收发信机系统设计以及集成电路设计,以满足移动健康(M-Health)系统的微型化、便携式与远程化的需要。课题研究了体域网UWB 信号的近场传播和衰减特性,构建了适合于体域网的UWB 无线通信信道模型;在综合M-Health 系统对多址、功耗、传输速率、误码率、芯片面积等要求的基础上,研究了高紧凑UWB 天线、人体医学信息的采样、调理与转换等预处理技术以及适合体域网的收发信机结构及其集成电路理论。基于M-Health系统低功耗、智能化与微型化的需要,利用CMOS 工艺设计了一系列紧密相关的芯片,包括UWB 收发信机射频前端芯片、医学信号的预处理芯片和在片电源管理芯片。该课题的相关研究属于集成电路基础理论及其应用研究,就技术成熟程度而言,属于前沿性课题的理论与实验测试验证研究,可以作为产品研究与开发的参考和重要基础,适用范围是移动健康监护系统集成电路,安全性良好。在课题执行期间,团队成员共计在国内外期刊和重要的国际学术会议上发表论文18篇,期刊论文所属刊物均为核心期刊及以上,其中EI 共计7篇。此外,有10项成果获得国家发明专利或者实用新型专利。该课题暂未实现成果转让和成果应用,暂未获得相关奖励。但课题组将继续推进已获得的成果的技术转让和应用。该课题考察了UWB 医学信号在以人体为中心的可穿戴式和可植入式医疗无线体域网(MWBAN)内的传播特性与信道模型,特别是多径环境下收发信端之间的可靠数据传输与系统同步特性,建立了相应的信道模型并进行了仿真验证。在该基础上,开展了应用于移动健康(M-Health)监护与遥测系统的医学信息检测与处理电路的研究和设计,以及高速低功耗多址UWB 收发信机结构的研究,依据所建立的系统模型与模块架构,利用射频CMOS 工艺对其进行高度集成与仿真验证,考察不同传输速率、不同传输距离和多通道应用情况下的系统性能。课题组通过MPW 方式完成了CMOS 工艺下的多颗相关芯片设计与流片测试验证。
[成果] 1700390095 青海
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:经凯普松电子科技(青海)有限公司研发部研究人员历时近两年的研发,通过对静态试验、样品制作、试生产等阶段的分析、总结和改进,终于实现了857V铝电解电容器用化成箔产品的成功量产。该研究是以硼酸化成体系为基础,通过选择和应用添加剂,在化成过程中加速离子迁移,促进氧化皮膜的形成,增加水和氧化膜转化为γ'晶型氧化膜的能力,提升氧化膜γ'立方结构含量。另一方面,通过适当添加添加剂,改变了化成溶液的溶质组成及配方比例,提高了化成溶液的闪火电压。同时通过对生产工艺的研究开发,包括对工艺流程、配方(添加剂)、工艺控制参数、以及与新工艺相配套的设备的开发,实现化成箔生产工艺技术的进步和突破,提升超高压化成箔表面氧化膜耐超高压(耐电压大于或等于850伏)的能力。关键性能指标:耐电压≥850V,耐电压上升时间≤350S,水合后耐压上升时间≤60S。超高压化成箔产品主要应用于充电桩上。据统计,截至2014年底全国共建成充电桩3.1万个,为超过12万辆新能源汽车提供服务,车桩比约为4:1的,离1:1的标配差距甚远,因而用于充电桩的超高压化成箔市场前景广阔。成果达到国内领先水平。
[成果] 1700620186 广西
TN4 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:本课题来源于国家自然科学基金地区基金项目。课题背景是针对可穿戴式健康监护与遥测系统,用以监测诸如心电、体温、呼吸等人体重要的生理信号,并将这些信号通过无线方式进行发射与接收,即以人体为中心的无线体域网(WBAN)。传统的无线通信信道媒介与WBAN并不相同,其模型也难以适合WBAN,而且也不能满足可穿戴式系统长时间实时监控时所要求的微型化、低功耗、低辐射与高速率等。该项目通过信道建模与系统设计,建立一种新的可穿戴式无线体域网用UWB通信体制,并采用CMOS工艺将系统集成到芯片中。内容包括研究人体可穿戴式体域网UWB信号的近场传播和衰减特性,建立适合于无线体域网的UWB无线通信信道模型;研究传感信号的处理与适合于可穿戴式体域网用UWB通信系统的收发信机结构及其集成电路理论,满足微弱人体生理信号的检测要求以及多址、低功耗、高速率的无线监测系统的要求。)采用Fabless MPW方法,利用CMOS芯片来实现可穿戴式健康监护与遥测系统,考察在具有频变介质特性与多径效应的无线体域网中系统芯片的各项性能。本课题的相关研究属于集成电路基础理论及其应用研究,就技术成熟程度而言,属于前沿性课题的理论与仿真及其实验测试验证研究,可以作为产品研究与开发的参考和重要基础,适用范围是可穿戴式健康监护系统集成电路,安全性良好。在课题执行期间,团队成员共计在国内外期刊和重要的国际学术会议上发表论文31篇,其中EI共计10篇。此外,有12项成果获得国家发明专利或者实用新型专利。本课题暂未实现成果转让和成果应用,暂未获得相关奖励。但课题组将继续推进已获得的成果的技术转让和应用。本课题考察了生物医学工程与微电子技术这一交叉学科,利用UWB通信在与其他现有通信共享频谱的同时具有低功耗高速率及抗多径干扰等优点,在信道分析的基础上建立了适合于可穿戴式设备的新的UWB无线通信系统模型,在系统模型的指导下研究适合的医学信号处理模块与UWB射频收发信机,并采用0.18um CMOS工艺研发出了一系列半导体芯片。第一,研究了可穿戴式体域网中UWB无线通信信道,建立了可穿戴式无线通信信道的模型并对其冲激响应、功率延迟分布、误码率和路径损耗等重要性能指标进行了研究。并利用所建立的改进型幂律函数信道模型研究了人体通信的平均功率密度和比吸收率等,证明了UWB人体无线通信是可行的和安全的。第二,针对可穿戴式UWB WBAN射频收发系统的小型化和便携式等要求,提出和测试成功了一种新颖的具有两块非对称接地面结构的紧凑型UWB天线;研究了UWB射频信号的产生与接收方法,提出了一种多用户环境下去多址干扰的TH-PPM UWB数字接收机及方法。第三,研究了适合于可穿戴式生物医学系统的IR-UWB发射机和接收机架构及其电路,并对所提出的一系列电路进行了流片测试验证。第四,针对可穿戴式WBAN健康监护信号所具有的低幅度、超低频率、低信噪比等特点,首先进行了构架研究,设计制作了无线远程多用户心电监护PCB板级系统;并在此基础上提出了一系列适合生物医学信号处理的模拟前端芯片,如差分差值斩波前置放大器、高线性范围低带内衰减nA级低功耗OTA-C滤波器、全差分低谐波失真可变增益放大器等,并进行了流片测试验证。第五,针对可穿戴式WBAN健康监护系统的能量管理和模数转换的需要,设计了相关的芯片并进行了仿真与流片测试验证。
[成果] 1700441075 浙江
TN7 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:项目产品属于本年度“电子信息→微电子技术→集成电路产品设计开发→物联网、智能电网、移动智能终端、汽车电子等热点整机产品配套的单片集成电路”领域。项目产品系列芯片主要应用于手机、PDA、便携式音箱、多媒体音箱、便携式掌上电脑、蓝牙音箱等各种便携式终端音频系统。创新点:由于D类音频功率放大器为开关型放大器,输出级功率管在线性区和截止区之间转换,减小了在输出器件上的静态功率损失;采取免滤波PWM调制方式,在零差分信号输入的情况下,差分输出为零,负载上的电流纹波较为微小,因此产生比传统的PWM调制方式更低的静态功耗;优化功率管器件参数设计,将导通功耗和动态功耗的总和最小化,进一步提高效率;优化驱动级版图设计,尽量减小寄生参数对输出功率和功耗的影响,使得达到输出功率额定指标所需要的输出功率管尺寸最小化,这样既减小了设计成本,也减小了驱动功率管的动态功耗即应用成本,从而达到高效率驱动负载的目的。最终达到一种最优的效率指标,提升D类功放的转换效率,实现更低功耗的目标。
[成果] 1700450504 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:随着电子技术的飞速发展,电子产品的体积越来越小,如汽车电子、电源适配器、电子镇流器等产品,相应对铝电解电容器的要求也越来越高,特别对高压铝电解电容器。由于通过电容器的纹波电流较大,电容器本身会发热而且长时间连续工作,电子产品对电容器提出更高的要求:小体积、高工作环境温度、长寿命。铝电解电容器工作电解液作为铝电解电容器的实际阴极,其性能对铝电解电容器起决定作用。高压铝电解电容器所用的工作电解液要求有较高的火花电压,保证在高压条件下正常工作,不可因工作电解液火花电压较低闪火而导致电容器鼓底失效甚至爆炸。铝电解电容器在工作过程中,会自动修补阳极氧化膜(Al<,2>O<,3>),修补氧化膜的过程会产生氢气,产生的气体越多,电容器内部的压力就越高,最终电容器会鼓底甚至爆炸。铝电解电容器工作电解液,特别是高压电解液,一般要加入消氢剂,吸收电容器工作过程中产生的氢气,使电容器的内部压力保证在正常范围内,不因鼓底而失效。合理、正确选择工作电解液的消氢剂显得尤其重要。技术领域:属于高压铝电解电容器用工作电解液制造技术领域。技术原理:工作电解液由溶剂、溶质和添加剂组成,溶剂包括纯水、乙二醇、γ-丁内酯、二乙二醇等,溶质为有机羧酸及其盐,添加剂包括火花电压提高剂、漏电流抑制剂、消氢剂、防水合剂、阻燃剂等。合理选择工作电解液的溶剂体系,加入溶质组合并加入各种添加剂,使电容器在特定条件下正常工作。技术方案:工作电解液的溶剂、溶质和添加剂组成包括:乙二醇、纯水、聚乙二醇PEG、己二酸、己二酸铵、m-偏硝基乙酰苯、次亚磷酸铵,其重量百分比分别为:75~85%,1~5%,5~10%,2~8%,2~8%,0.1~2%、0.1~2%。工作电解液的制备方法:将重量百分比75~85%的乙二醇倒入不锈钢容器中,加入重量百分比1~5%纯水并搅拌加热到80~110℃,加入重量百分比5~10%聚乙二醇PEG并充分搅拌,依次加入重量百分比2~8%己二酸、重量百分比2~8%己二酸铵和重量百分比0.1~2%m-偏硝基乙酰苯,充分搅拌至完全溶解,加入重量百分比0.1~2%次亚磷酸铵,完全溶解后自然冷却,制得铝电解电容器工作电解液。技术的成熟程度,适用范围和安全性:该发明有效地解决高压铝电解电容器工作电解液阳极氧化膜水合问题和在修补氧化膜过程中产生的氢气,具有成本低、氧化效率高、电导率高、火花电压高、耐纹波能力强,能在高温条件下长期稳定工作,满足高压铝电解电容器小型化、长寿命的特点,寿命达105℃、5000h,可广泛应用于开关电源、电源适配器等领域。
[成果] 1700450505 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:钉卷机在生产过程中,产生的箔灰有刷箔灰及吸箔灰装置,但是在刺铆部位形成的箔灰,会附着在箔上,导致送箔台等过箔部位积有箔灰,高压箔尤为明显。因此,在刺铆时需要将箔灰尽可能消除,减少过箔部位的箔灰,即有利于保持设备清洁,更有利于保证产品质量,减少潜在的不良隐患。技术领域:属于铝电解电容器生产设备技术领域,具体涉及一种铝电解电容器钉卷机的箔灰吹扫装置。技术原理:该装置通过在立板上设置机械式气阀、单向调节阀及相应的气管,通入压缩空气将刺铆部位的箔灰吹出,解决了箔灰不利于设备清洁和产品潜在的不良隐患。技术方案:铝电解电容器钉卷机的箔灰吹扫装置,包括机械式气阀、进气管、中间气管、单向调节阀、出气气管和立板;所述机械式气阀和单向调节阀分别固定在立板的同一侧上,所述进气管的一端与气源连通,另一端与机械式气阀的进气端连接,所述机械式气阀的出气端与单向调节阀的进气端之间连接有中间气管;所述单向调节阀的出气端固定连接有出气气管,且出气气管的出气口正对于刺铆装置的中部。所述机械式气阀的摆臂设置于刺铆装置机械摆臂的行程范围内。所述出气气管的出气口还设置有铜管,且铜管的出气口正对于刺铆装置的中部。所述机械式气阀和单向调节阀分别通过螺栓A和螺栓B固定在立板上。技术的成熟程度,适用范围和安全性:该装置通过在立板上设置机械式气阀、单向调节阀及相应的气管,通入压缩空气将刺铆部位的箔灰吹出;结构简单,安装及调整方便,很好的清除了刺铆时产生的箔灰;该装置性能稳定,对时间及用气量亦有较好的控制,相较始终吹气的装置可节约用气三分之二以上。
[成果] 1700450509 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:在铝电解电容制造过程中,因组立时封口不良、无封口以及老化时产品鼓底会造成产品实际高度增大,这些最终在测试时不能完全被检出,在用户端使用过程中发生失效的可能性很大,因此需要在制造及检测过程中检出,对于高度超限,原有的限高装置窄,超高产品发生倾斜亦有通过可能。因此,需研发新的限高装置,即使高度超限,在通过装置时发生倾倒或堵料,以便作业员发现及剔除。技术领域:属于铝电解电容器生产设备技术领域,具体涉及一种铝电解电容器限高装置。技术原理:在平送轨道上设置相应高度的限高装置,且限高装置中的限高块可以根据需要在限高支架上调整高度,不仅解决了缺少限高装置所产生的问题,也解决了现有限高装置调整不便,因限制距离短而造成发生超限产品发生倾斜后也能通过的问题。技术方案:该实用新型提供的一种铝电解电容器限高装置,包括限高支架、限高块、连接块和平送导轨;所述限高块与平送导轨的输送槽上方与连接块固定连接,所述连接块固定安装在限高支架上,所述限高支架固定安装于平送导轨上。所述连接块可滑动安装于限高支架的滑槽内。所述平送导轨由左挡板和右挡板拼接而成,且左挡板和右挡板拼接形成的输送槽底部还设置有避让槽。技术的成熟程度,适用范围和安全性:该装置连接块与限高支架之间的配合采用了槽型结构配合,能够确保限高块的移动方向与平送导轨的平面垂直,这样就保证了限高工作面与平送底板平面保持平行,减少调整平面平行的时间并且更为准确;限高块的限高工作平面加长,这样当产品通过时,限高有效管控产品的数量较原来增加较多,这样,有超限产品通过时,确保不发生较大倾斜;因此,超高的产品无法通过造成堵料时,只有作业员取出超限产品后方可重新送料生产;该装置操作调整方便,装置各零件使用寿命长,免维护,具有很高的安全性、可靠性。
[成果] 1700450510 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:铝电解电容器牛角测试机排料采用的是气缸打料的方式,产品由气缸打出落入料盒,这样的排料方式有两个缺点:一是产品落入料盒时,因产品互相碰撞造成壳坑和打火不良,造成后续产品返工成本增加;二是料盒中产品杂乱无章堆放,对后续生产不便,也容易再次引发上述不良。因此需研发一套装置,对产品出料进行改进,从气缸打料改为夹取收料,这样即可避免发生上述不良。技术领域:属于铝电解电容器生产设备技术领域。技术原理:该装置通过伸缩杆、阔型气爪和定位块协同动作,解决了产品可能会因碰撞发生壳坑或打火不良及落料杂乱无章的问题。技术方案:该实用新型提供的一种铝电解电容器的接料定位装置,包括伸缩杆、导轨组件、阔型气爪、连杆组件、定位块和安装平台;所述导轨组件固定安装于安装平台上,且所述导轨组件上的滑块与伸缩杆的活动端固定连接,所述伸缩杆固定在安装平台上;所述阔型气爪固定安装于导轨组件的滑块上,所述阔型气爪的两活动爪上分别固定连接有连杆组件,所述连杆组件的另一端分别固定设置有定位块,且所述定位块相对设置并形成一与传送带垂直的接料槽。所述接料槽由相连的半圆锥型槽和半圆柱型槽构成,半圆柱型槽设置与定位块的下部且与传送带垂直,半圆锥型槽设置与定位块的上部。所述半圆锥型槽与半圆柱型槽之间的连接处圆弧过渡。所述半圆锥型槽与定位块的上端面之间圆弧过渡。所述伸缩杆为单杆双作用气缸或单杆双作用油缸。技术的成熟程度,适用范围和安全性:该装置的定位块由阔型气爪控制其张开或收紧,并由伸缩杆控制其往复动作;接料定位装置在落料时,移动至落料产品下方形成定位,产品沿喇叭口进入装置,最终直立定位于传送带上,夹具分开并退回起始位置待令,产品由传送带传送到相应收集区域;该装置结构简单、安装方便、气缸和气爪的行程调整也简单、方便;该装置改变机台排料方式,效果很好,产品不会发生磕碰伤及接触打火现象,并且产品整齐排列,有利于周转及下道工序作业。
[成果] 1700450511 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:贴片型铝电解电容器通常使用绝缘(镀膜)铝壳,以拉伸工艺制成,生产成半成品后再在铝壳表面丝印型号、电压、容量、负极等标识。绝缘(镀膜)铝壳本身成本高,丝印成本高,造成贴片式铝电解电容器成本居高不下。传统外防爆铝壳在贴片式铝电解电容器加工过程中不适用。贴片式铝电解电容器在生产和使用过程中,需要用真空吸盘(吸头)将产品吸附加工。传统铝壳底部有防爆槽,由于表面凹槽漏气,吸盘(吸头)无法吸附,不适合自动化设备生产;现用的绝缘(镀膜)铝壳,在铝壳的表面镀上一层绝缘材料,而镀膜的材料都比较坚韧,大幅影响了铝壳的防爆阀压力,不适用于现有制造工艺;而现有的内防爆铝壳尺寸也比较大,不能满足使用。技术领域:属于贴片型铝电解电容器制造技术领域。技术原理:内防爆铝壳通过将防爆槽设置在铝壳本体的底部内侧,并缩小铝壳本体和防爆槽的尺寸,解决了现有外防爆铝壳尺寸过大和吸盘(吸头)无法吸附的问题。技术方案:该实用新型提供的一种铝电解电容器的内防爆铝壳,包括铝壳本体;所述铝壳本体的底部内侧设置有防爆槽,所述铝壳本体的铝壳口倒角θ的大小为30°~45°,底部厚度C为0.2~0.6mm,直径D为5~35mm,壁厚F为0.1~1mm,高度H为5~75mm。所述防爆槽的长度A为2~20mm,宽度B为0.1~1mm,深度E为0.1~1mm。所述防爆槽的形状为十字型、Y型(星型)或K型,并不限于以上三种防爆阀形状。所述铝壳本体的侧壁与底面之间的倒角半径R为0.1~0.5mm。技术的成熟程度,适用范围和安全性:将防爆铝壳的外置防爆槽结构改为内置防爆槽结构,保持铝壳底部外表面平整,采取内防爆形式的防爆铝壳充分解决了贴片式铝电解电容器吸附不稳导致掉料的情况,而同时使防爆达到了使用要求;该结构不影响铝壳防爆效果,简单实用,成本较低,新结构保持了底部表面的光滑,在贴片铝电解电容器半成品加工过程中,吸盘能够吸附,提高了生产效率。
[成果] 1700450512 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:贴片型铝电解电容器为低压设计,使用外表面镀膜达到绝缘效果,这种结构在运用到高压贴片电容器上时,绝缘耐压不理想。同时,镀膜的材料比较坚韧,大幅增加了铝壳的防爆阀压力,使得产品内部压力剧变时,防爆阀失效,没有起到防爆的作用。高压铝电解电容器的防爆阀需要十分灵敏,能及时开阀泄压,以免对电器造成更大的危害。绝缘(镀膜)铝壳成本高,加工过程中,在铝壳表面喷印标识,成本也比较高。技术领域:属于贴片型铝电解电容器制造技术领域。技术原理:该高压贴片铝电解电容器通过采用防爆铝壳封装电容器本体,并在防爆铝壳的外部套上绝缘套管,解决了铝壳外表面镀上绝缘材料后绝缘耐压不理想的问题。技术方案:该实用新型提供的一种高压贴片铝电解电容器,包括座板、绝缘套管和电容器本体;所述电容器本体的下部固定安装在座板上,且电容器本体的上部由防爆铝壳封装,所述防爆铝壳的外部还套有绝缘套管。所述防爆铝壳的底部内侧还设置有防爆槽。所述防爆槽的形状为十字型、Y型(星型)或K型,并不限于以上三种防爆阀形状。所述防爆槽的长度A为2~20mm,宽度B为0.1~1mm,深度E为0.1~1mm。所述防爆铝壳的铝壳口倒角θ的大小为30°~45°,底部厚度C为0.2~0.6mm,直径D为5~35mm,壁厚F为0.1~1mm,高度H为5~75mm。所述绝缘套管为热缩胶管。技术的成熟程度,适用范围和安全性:使用的防爆铝壳外表面无需镀膜,成本大幅降低,同时不影响产品防爆压力,能够保证产品防爆阀正常开启;同时防爆铝壳底部保持光滑平整,在贴片铝电解电容器半成品加工过程中,吸盘能够吸附,提高了生产效率。产品标识内容直接印在套管上,无需在生产时使用复杂的设备进行成本高昂的即时喷印;外套的绝缘套管耐压高,绝缘效果更好。
[成果] 1700450513 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:技术背景:在组立机有少量未封铝壳的产品流至后工序,之前都是靠组立工序、套管工序作业人员目视外观检出剔除,这样的方式无法保证百分之百检出,尤其是在一人多机作业时,往往作业员为了保证所开机台正常连续生产,基本也没有时间对无铝壳产品进行全部外观检视。无铝壳产品如果上了套管,在后工序就不易目视检出,如果发到客户端,易因此发生品质不良反馈等问题,为杜绝该类客户抱怨,确保产品品质及提高企业形象,需要在设备方面进行改善,从设备上去保证和杜绝无铝壳产品流转到下一道工序中。技术领域:属于铝电解电容器生产制造技术领域。技术原理:利用有铝壳产品与无铝壳产品在外径上的明显差异,通过在套管机平移移动夹上增加机构,控制一对移动夹之间的最小距离,当夹取的产品为无铝壳产品时,无法夹住产品而掉落达到检出、剔除的目的。技术方案:该实用新型提供的一种铝电解电容器铝壳漏装检测装置,包括检测块A、检测块B、锁紧螺钉和限位螺钉;所述检测块A和检测块B均通过锁紧螺钉相对固定安装在套管机的移动夹夹头A和移动夹夹头B上,所述检测块A和检测块B之间的间距由限位螺钉进行限定,所述限位螺钉安装于检测块A或检测块B上。所述检测块A和检测块B之间的间距为封铝壳的产品直径3.8-21.8mm加上0.2mm。所述锁紧螺钉和限位螺钉上均设置有锁紧螺母。技术的成熟程度,适用范围和安全性:通过在套管机的第一道移动夹的两个夹头上设置限位机构,限位机构将移动夹两个夹头之间的间距限定为封铝壳的产品直径3.8-21.8mm加上0.2mm,使得未封铝壳的产品在第一道移动夹夹取和平移过程中掉落,彻底杜绝未封铝壳产品流传到后工序,在套管工序就完全剔除。该装置充分利用机器现有机构部件,结构简单,零件加工数量少,除两个检铝壳块需设计出图外协加工以外,其余均为普通标准紧固件,且用量少,零件成本低且调整快捷、方便,使用寿命长。能够在套管工序保证对无铝壳产品完全剔除,彻底解决未封铝壳产品上套管流入下道工序带来的风险和隐患。
[成果] 1700450523 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:陶瓷电容器是电子信息技术的重要基础器件,随着电子器件的飞速发展,要求陶瓷电容器能够在更宽的的温度范围内保持稳定的介电性能。根据国际电子工业协会EIA(Electronic IndustriesAssociation)标准,X9R型MLCC是指以25℃的电容值为基准,在温度从-55℃到+200℃的范围内,电容变化率(ΔC/C25)≤±15%。在军工、航天航空以及勘探等领域里,对于能承受高温的电子元器件有很大需求。大多数陶瓷电容器采用X7R陶瓷配方,但这种材料容量温度特性具有一定的局限性,在-55℃~+125℃的范围内,电容变化率(ΔC/C25)≤±15%,超过+125℃则无法提供温度的介电性能。因此,研发具有高温稳定性的X9R型MLCC介质陶瓷材料,具有重要的实际应用价值。该成果涉及一种X9R型陶瓷电容器介质材料及其制备方法,属于电子元器件陶瓷材料技术领域。1.一种X9R型陶瓷电容器介质材料,其特征在于该X9R型陶瓷电容器介质材料的名义化学式为Ba3.5Sm1.5Fe0.75Nb9.25O30。2.根据权利要求1所述的X9R型陶瓷电容器介质材料的制备方法,其特征在于具体步骤为:(1)将纯度大于99.9%的BaCO<,3>、Sm<,2>O<,3>、Nb<,2>O<,5>和Fe<,2>O<,3>作为起始原料,按照BaCO<,3>:Sm<,2>O<,3>:Fe<,2>O<,3>:Nb<,2>O<,5>=3.5:0.75:0.375:4.625的摩尔比进行配料后以无水乙醇为球磨介质,混合球磨48小时,于100℃下烘干5小时,制得烘干样品;(2)把步骤(1)制得的烘干样品在1000~1250℃预烧结4小时,制得预烧后的粉体;(3)将步骤制得的预烧后的粉体研碎,再以无水乙醇为球磨介质球磨48小时混合均匀,于100℃下烘干5小时后研磨成粉状,以5~10wt%的聚乙烯醇水溶液作为粘结剂造粒,过60目筛后压制成型,于400~600℃下保温3~5小时排出胶体,再在高温炉空气气氛中1100~1400℃烧结4~10小时后随炉自然冷却至室温,即制得X9R型陶瓷电容器介质材料。根据权利要求2所述的X9R型陶瓷电容器介质材料的制备方法,其特征在于所述聚乙烯醇水溶液的浓度为8wt%。
[成果] 1700450524 广西
TM5 应用技术 电子元件制造 公布年份:2017
成果简介:陶瓷电容器是电子信息技术的重要基础器件,随着电子器件的飞速发展,要求陶瓷电容器能够在更宽的温度范围内保持稳定的介电性能。在军工、航天航空以及勘探等领域里,对于能承受高温的电子元器件有很大需求。大多数陶瓷电容器材料容量温度特性具有一定的局限性。因此,研发具有较宽温度稳定性的介质陶瓷材料,具有重要的实际应用价值。另外,大多数陶瓷电容器基于钙钛矿结构,该发明采用钨青铜结构,有助于扩展电容器陶瓷的材料类型。该成果涉及温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30及其制备方法,属于电子元器件的陶瓷材料技术领域。一种温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30及其制备方法,其特征在于所述陶瓷电容器介质材料的化学组成式为Sr4GdTiNb9O30;所述的陶瓷电容器介质材料的制备方法具体步骤为:1)将纯度大于99.9%的SrCO<,3>,Gd<,2>O<,3>,TiO<,2>和Nb<,2>O<,5>为起始原料,按照SrCO<,3>:Gd<,2>O<,3>:TiO<,2>:Nb<,2>O<,5>=4:0.5:1:4.5的摩尔比进行配料,加入无水乙醇中,混合球磨48小时,烘干制得混合均匀的粉体;2)将步骤1)制得的粉体在1000~1250℃预烧4个小时,制得预烧后的粉体;3)将步骤2)预烧后的粉体,在无水乙醇中球磨48小时混合均匀,烘干;加入5~10wt%聚乙烯醇水溶液(PVA)进行造粒,过60目筛后压制成型,然后置于高温炉空气气氛中,在1100~1400℃烧结4~10小时后自然冷却至室温,即可得到所述温度稳定型陶瓷电容器介质材料Sr4GdTiNb9O30。
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