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[标准] GB/T 36614-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。
[标准] GB/T 15879.5-2018 中外标准
2018/09 未生效
摘要:《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊(TAB)作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元,对集成电路(IC)到载带的互连(内引线焊接)没有明确要求。
[标准] GB/T 36479-2018 中外标准
TF 2018/06 未生效
摘要:本标准规定了焊柱阵列(CGA)的试验方法。本标准适用于采用焊柱阵列(CGA)封装形式的集成电路(以下简称器件),焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。
[标准] GB/T 36474-2018 中外标准
TF 2018/06 未生效
摘要:本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
[标准] GB/T 36477-2018 中外标准
TF 2018/06 未生效
摘要:本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。插入上标本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
[标准] GB/T 35086-2018 中外标准
TJ 2018/05 未生效
摘要:本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。
[标准] GB/T 35007-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了半导体集成电路低电压差分信号(LVDS, low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。 本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。
[标准] GB/T 35004-2018 中外标准
TJ 2018/03 现行
摘要:为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)引人建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。
[标准] GB/T 35003-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。 本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
[标准] GB/T 35011-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了压控振荡器(以下简称“振荡器”)主要电参数的测试方法。 本标准适用于双极晶体管(BJT)和场效应管(FET)制造的压控振荡器,其他电压控制输出频率的振荡器可以参照使用。
[标准] GB/T 35010.7-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括: —晶圆; —单个裸芯片; —带有互连结构的芯片与晶圆; —最小或部分封装的芯片与晶圆。 本部分规定了一种XML格式,该格式定义了数据交换所需的元素,满足IEC 62258-1,IEC 62258-5,IEC 62258-6的实施要求,同时对IEC 62258-2中定义的交换结构进行补充。本部分也补充并兼容IEC/TR 62258-4中的调查表。
[标准] GB/T 35009-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。 本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。
[标准] GB/T 35008-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。 本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。
[标准] GB/T 35001-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了噪声源主要电参数的测试方法。 本标准适用于噪声源的电参数测试。
[标准] GB/T 35010.1-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片和晶圆; ●小尺寸或部分封装的芯片和晶圆。 本部分定义了此类芯片产品所需数据的最低要求,也有助于含芯片的组件产品设计和采购。它涵盖了对数据的要求如下: ●产品标识; ●产品数据; ●芯片机械信息; ●测试、质量、装配和可靠性信息; ●处理、运输和储存信息。 本部分包括了在研发和制造过程中用来描述芯片几何特性、物理性质和连接方法相关数据的具体要求。相关词汇和缩略词参见附录A和附录B。
[标准] GB/T 35010.3-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。 本部分适用于指导半导体芯片产品(以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和试用。 本部分所指的半导体芯片产品包括: —晶圆; —单个裸芯片; —带有互连结构的芯片和晶圆; —最小或部分封装芯片和晶圆。
[标准] GB/T 35010.5-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片和晶圆; ●最小或部分封装的芯片和晶圆。 本部分规定了所需的电仿真信息,目的在于促进电子数据、电子系统电学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链中所有的环节都满足IEC 62258-1和IEC 62258-2的要求。
[标准] GB/T 35010.6-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括: ●晶圆; ●单个裸芯片; ●带有互连结构的芯片和晶圆; ●最小或部分封装的芯片和晶圆。 本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 62258-1和IEC 62258-2的要求。
[标准] GB/T 4377-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。
[标准] GB/T 35006-2018 中外标准
2018/03 现行
摘要:本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。 本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。
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