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[专利] 发明专利 CN201810642333.2
摘要:本发明公开了一种硅料铸锭锅炉的冷却水循环系统,包括给锅炉供给氩气的液氩罐,液氩罐与锅炉之间通过汽化装置连接,锅炉设有锅炉冷却液夹层,锅炉的锅炉冷却液夹层的进液端A通过泵体A与冷却液池的出液端E连通,锅炉的锅炉冷却液夹层的出液端A通过板式热交换器与冷却液池的进液端E连通,汽化装置的设有换热夹层A,板式热交换器的热交换器冷却液与换热夹层A连通。从上述结构可知,本发明的硅料铸锭锅炉的冷却水循环系统,利用硅料铸锭锅炉的生产工艺中的液氩汽化吸热来作对锅炉冷却液的热交换冷却液进行制冷,保证热交换效果的同时,还能使液氩的汽化装置表面避免冻结。
[专利] 发明专利 CN201810635515.7
摘要:本发明公开了一种用于半导体硅单晶炉的翻板阀,包括翻板、翻转轴、连接翻转轴及翻板的连接板;其中在翻板内部设置了水道,可以通过引入冷却水的方式在翻板内部的水道流动带走翻板的热量,以达到冷却的效果,同时从翻转轴中的两个轴体分别引入进水通道及排水通道,这样不需要重新再设置其他管道结构,直接利用本身存在的翻转轴即可实现冷却水的引入。
[专利] 发明专利 CN201810635152.7
摘要:本发明公开了一种具有隐藏式加热器的半导体硅单晶炉,包括圆环形的加热器、主隔热屏、位于主隔热屏底部的底隔热屏、承载于底隔热屏上的石墨锅托,位于石墨锅托内的坩埚,还包括围绕石墨锅托设置的屏蔽衬套,屏蔽衬套的上端与主隔热屏的上端之间设有上板、屏蔽衬套的底端与底隔热屏的上表面之间设有衬套基板;主隔热屏、屏蔽衬套、上板与衬套基板共同围成圆环形的隔离空间,所述加热器位于该圆环形的隔离空间内与坩埚处于的气氛环境相隔离,在实际使用时加热器不会被坩埚的气氛环境中的气体腐蚀,能够提高加热器的使用寿命,且加热器能够始终保持在一个稳定的加热状态下,不会因为被腐蚀而使加热功能受到影响,从而有利于提高单晶炉生产稳定性和晶体良率。
[专利] 发明专利 CN201810635113.7
南通大学 2018-08-21
摘要:本发明公开了一种多晶硅铸锭生长控制方法及工艺,坩埚顶部和底部之间的温度差作为一个新引入的参数△t进行控制多晶硅铸锭生长工艺的长成,铸锭制备工艺过程中,曲线△t先增加后减小,再增加最后降到0,当△t峰值达到最大时,坩埚中的硅料开始熔化,直到硅料完全熔化时,△t会出现一个极小值的尖契,△t尖契的温度不可低于160℃,一旦低于这个温度,坩埚底部的籽晶层会出现熔穿现象,导致红区升高,同时坩埚边角处的红区会沿坩埚壁向上延伸,△t峰值判断法,可以作为硅锭铸锭过程的判断依据,并提供一种多晶硅铸锭生长工艺,本发明优点降低多晶硅中红区厚度,提高多晶硅的质量,提高多晶硅的利用效率,降低成本。
[专利] 发明专利 CN201810598333.7
摘要:一种铸造准单晶硅锭的炉体热场,包括炉体,所述炉体内设有隔热笼体,隔热笼体包括经4块测角保温板连接成口字型的4块外侧保温板,每块外侧保温板的内侧均设有高效保温软毡,高效保温软毡的内侧设有内侧保温板,所述隔热笼体内侧由上至下依次设有上保温顶板、石英坩埚和下保温底板,所述石英坩埚外侧设有坩埚护板,坩埚护板的上端连接有进气管,坩埚护板外侧设有侧加热器,侧加热器的上端连接吊臂加热板,吊臂加热板的上端连接有石墨电极,所述坩埚护板下端设有坩埚底板,坩埚底板下端四周设有隔热保温条,隔热保温条内侧设有热交换平台,所述热交换平台经石墨立柱固定。该热场具有较好的保温性,起到节能降耗和提高晶体质量目的。
[专利] 发明专利 CN201810601105.0
山东大学 2018-08-17
摘要:本发明涉及一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法,该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架和支撑机构;炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套,炉管和保温套之间设置有加热炉丝;支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转,长晶杆穿插设置在炉管中,长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿;支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。采用该装置既可精确控制晶体生长的温度,又可随时监控晶体生长的状况。同时,通过物理气相传输法也易获得大尺寸、高质量的晶体。
[专利] 发明专利 CN201810594099.0
晶科能源有限公司 浙江晶科能源有限公司 2018-08-17
摘要:本发明公开了一种硅液溢流检测设备及方法,其中该检测设备包括:金属丝;与金属丝的下端相连、用于判断是否与铸锭炉中的硅液面相接触的液面探测装置;设置在铸锭炉的上方、用于缠绕金属丝,并在驱动装置的驱动下调节金属丝的长度的缠绕部。本申请公开的上述技术方案,利用缠绕部缠绕金属丝,当需要探测硅液面的高度时,金属丝会带动与其下端相连的液面探测装置向下移动,液面探测装置会判断其是否与硅液面接触,若发生接触,则记录金属丝的长度,通过探测时金属丝长度的变化来探测硅液面位置的变化,也即通过金属丝长度的变化来判断硅液是否溢流,从而提高硅液溢流检测的及时性,减少因硅液溢流而造成的经济损伤,降低安全事故发生的概率。
[专利] 发明专利 CN201810592023.4
山东大学 国网山东省电力公司电力科学研究院 2018-08-17
摘要:本发明涉及一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法,本发明利用微管密度<1cm‑2、位错密度小等于于5000cm‑2的SiC区域覆盖微管和位错密度较高区域,从而阻断位错和微管的延伸,有效的减小了位错和微管的遗传,可以获得特定微管和位错密度的SiC体块单晶,具有高度选择性,仅通过一次生长即可获得低微管和位错的体块单晶,大大缩短优化时间。
[专利] 发明专利 CN201810595576.5
苏州大学 2018-08-28
摘要:本发明涉及一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法,它的制备包括以下步骤:(a)将过渡金属盐和强碱溶于水中,搅拌得透明澄清的前驱体溶液;所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐;所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1~10:1;(b)将所述前驱体溶液旋涂至基底上;(c)将所述基底放在管式炉中部,取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端,随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体;加热使所述硫粉或硒粉升华,并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火,自然降温即可。该方法制备得到的二维材料质量很高、具有很好的结晶性,并且其三角片的尺寸能够生长的很大;可以直接应用在半导体场效应管中,无需进行额外的转移。
[专利] 发明专利 CN201810562755.9
摘要:本发明公开一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳,包括依次连接的一级放大器、一级引晶段、二级放大器和二级引晶段,一级放大器和二级放大器均为两端开口的圆锥形壳体,一级引晶段和二级引晶段均呈两端开口的圆柱形壳体,一级放大器直径较大的一端与一级引晶段密封连接,一级引晶段的另一端密封连接有圆环形挡板,圆环形挡板的内圈与二级放大器直径较小的一端密封连接,二级放大器直径较大的一端与二级引晶段的一端密封连接。一种籽晶法单晶生长取向精确控制模壳的制造方法,首先制造蜡模,并在蜡模外壁涂挂陶瓷,然后经脱蜡和焙烧得到模壳。本发明籽晶法单晶生长取向精确控制模壳及制造方法提高了籽晶法制备单晶合金的生产效率。
[专利] 发明专利 CN201810536490.5
南开大学 2018-08-24
摘要:本发明属于铁电薄膜生长方法领域,主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt,简称Pt(111),基片为衬底,选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol%和掺铁8.0wt%的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法,制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol%和掺铁8.0wt%的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器;所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长,便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
[专利] 发明专利 CN201810546640.0
摘要:本发明属于悬浮区熔单晶炉技术领域,具体涉及一种连续生产的区熔炉。针对上述现有用于生产较长单晶棒的悬浮区熔单晶炉每生产一根晶体棒都需要进行一次抽真空和降真空,导致能耗及惰性气体的消耗较高,提高了工艺的成本,且生产效率较低的问题。本发明的技术方案是:包括炉室,炉室顶部设置有上轴,上轴的末端设置有夹具,炉室底部设置有保温室,保温室中设置有下轴,炉室侧面设置有原料切换室,原料切换室中设置有用于更换上轴上的原料晶体棒的原料切换装置;保温室侧面设置有产品存储室,产品存储室中设置有用于取走保温室中产品的产品拾取装置;下轴顶端设置有转盘Ⅰ,转盘Ⅰ上设置有多个籽晶安装装置。本发明适用于单晶生长工艺。
[专利] 发明专利 CN201810546875.X
摘要:本发明属于单晶炉技术领域,具体涉及一种侧面加样的单晶炉加样装置。针对现有技术中,从单晶炉侧面加样的方式导致加料速度降低且影响单晶质量的问题,本发明的技术方案是:包括炉室和直拉室,炉室中设置有坩埚,坩埚上方设置有导流筒,所述炉室侧面设置有密封闸门,密封闸门的外部和内部分别设置有外部密封法兰和内部法兰,所述内部法兰上连接有石英导向管,石英导向管的末端位于坩埚的上沿与导流筒之间;外部密封法兰上连接有真空加料箱。本发明适用于单晶炉。
[专利] 发明专利 CN201810530088.6
摘要:本发明涉及一种化合物硼酸铅钡和硼酸铅钡光学晶体及制备方法和用途,化合物硼酸铅钡的化学式为PbBa2B6O12,分子量为738.73,采用固相反应法合成;硼酸铅钡光学晶体的化学式为PbBa2B6O12,分子量为738.73,属于三方晶系,空间群为R_3,晶胞参数为a=7.2056(8)A˚,c=18.752(6)A˚,Z=3,硼酸铅钡光学晶体的透光范围为290‑3000nm,双折射率在0.084(3000nm)‑0.374(340nm)之间,易于切割和抛光,在空气中稳定,不潮解,不溶于水,可作为双折射晶体应用于光通讯中的纤维光学隔离器,环形器,光束的位移,格兰棱镜和偏振光学领域。
[专利] 发明专利 CN201810515775.0
深圳大学 2018-08-14
摘要:本发明实施例提供一种制备氮化铝晶体的装置及方法,涉及材料制备技术领域,该装置包括:第一坩埚、第二坩埚、衬底和调温台;所述第一坩埚包括原料腔和反应腔,其中,所述反应腔的直径大于原料腔的直径,所述原料腔位于所述第一坩埚的底部,所述反应腔位于所述第一坩埚的开口处;所述衬底覆盖所述第一坩埚的开口,以使氮化铝晶体在所述反应腔升华后凝结于所述衬底上;所述调温台为中空结构,且中空部位的直径最小的一侧的置于所述衬底上,以调整所述衬底与外部空气的接触面积;所述第二坩埚包括原料腔和反应腔,其中,所述第二坩埚的原料腔位于所述第二坩埚的底部,所述第二坩埚的原料腔的直径小于所述第二坩埚的反应腔的直径。
[专利] 发明专利 CN201810502251.8
甘肃金土新能源材料科技有限公司 永靖县申通耐磨材料有限公司 2018-08-24
摘要:本发明的目的在于提供一种低硼纯晶硅,此低硼纯晶硅能够达到太阳能级纯晶硅的要求,是以物理法纯晶硅生产方式替代西门子法、改良西门子法或硅烷法等化学法生产的纯晶硅,首先将碳原料与二氧化硅混合,在1500‑2700℃的温度下进行第一次冶炼制得碳化硅;然后将a步骤制得的碳化硅再次与二氧化硅混合,在1500‑2700℃的温度下进行第二次冶炼,制得低硼纯晶硅。本发明通过选用硼含量小于0.2ppm的碳原料、硼含量小于0.14ppm的第一部分二氧化硅和硼舍量小于0.14ppm的第二部分二氧化硅,冶炼制得的纯晶硅无需再次脱硼即能够满足太阳能级低硼纯晶硅的要求。本发明在太阳能级纯晶硅市场上有极大的推广价值,符合国家目前大力提倡的循环经济,具有显著的环境效益和社会效益。
[专利] 发明专利 CN201810497859.6
摘要:本发明公开了一种太阳能电池片用表面织构液,按重量份,包括以下组分:硝酸铈0.06‑0.15份;过硫酸铵溶液1.2‑2.5份;乳化剂0.13‑0.18份;十二烷基硫酸钠0.12‑0.25份;氢氧化钠3.5‑5.5份;栲胶0.13‑0.19份;月桂醇聚氧乙烯醚0.12‑0.18份;二甘醇单丁醚0.11‑0.16份;微孔淀粉0.13‑0.17份;聚天冬氨酸0.08‑0.12份;无患子皂乳0.07‑0.15份;氢氧化钠3.5‑5.8份;柠檬酸0.35‑0.55份;麦芽糊精0.07‑0.15份;黄腐酸钾0.15‑0.25份;聚乙二醇单甲醚0.13‑0.22份;水80‑130份,所述太阳能电池片用表面织构液成分组成简单,制作成本低廉,制作工艺简单,而且有效提高电池片的织构的效果和成品质量,而且节约成本,因而实用性和经济效果高。
[专利] 发明专利 CN201810496028.7
摘要:本申请提供的一种复合式侧保温屏,涉及泡生法蓝宝石单晶生长装置技术领域。包括由氧化锆砂砖组成的内筒、由氧化锆纤维砖或钼屏组件组成的中间保温层、由氧化铝空心球砖组成的外筒,三部分共同形成具有保温、隔热效果的复合式侧保温屏。氧化锆砂砖保温性能好,机械性能好,不易变形,使用周期长,成本低,便于安装;氧化锆纤维砖或钼屏可降低热场体系中的温度,保护外层氧化铝空心球砖;氧化铝空心球砖价格便宜,保温性能好;侧保温屏局部位置损坏时,可局部替换,不必整体替换,节约维修成本。通过本申请提供的复合式侧保温屏,能保证热场稳定性,降低蓝宝石长晶成本,节约能耗,延长单晶炉使用寿命,方便安装,具有一定的社会效益。
[专利] 发明专利 CN201810484924.1
宁波工程学院 2018-08-14
摘要:本发明的一种圆台形冷却夹套的甲硅烷热分解炉由钟罩、底板、气体进出管、石墨电极、圆台形冷却夹套和硅棒构成。本发明的一种圆台形冷却夹套的甲硅烷热分解炉通过在硅棒外侧套圆台形冷却夹套,使得夹套下端气体流速慢且硅棒与冷却夹套之间的空间大,有利于保温和提高反应气体的停留时间,加快下端生长速率,使得夹套上端气体流速快且硅棒与冷却夹套之间的空间小,有利于散热和减小反应气体的停留时间,减小下端生长速率,进而保证了硅棒上下端生长的均匀性;采用特殊设计的气体进出管有利于原料气体SiH4的均匀分布,降低SiH4局部浓度过高的风险,减少夹套外的均相分解,减少无定型硅的生成。
[专利] 发明专利 CN201810478127.2
摘要:本发明提供的一种链式扩散工艺及链式扩散设备,解决链式扩散后得到的p‑n结表面磷浓度高、结深浅,表面少子复合几率增加、结区漏电严重的问题和硅片基体内存在的杂质容易形成符合中心,体内复合几率增加的问题,在太阳能电池片生产的扩散工序中,使p‑n结表面磷表面浓度降低,结深得到增加,减小表面少子复合和结区漏电情况,并对对硅片基体内杂质进行吸杂,降低体内复合几率。
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