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[专利] 发明专利 CN201810502189.2
摘要:本发明方法针对微波基片形成腔体结构存在的腐蚀锥度、腐蚀速率低以及腔体尺寸一致性等问题,提出采用聚焦的激光束进行硅基材料的去除从而形成腔体结构的方法。所述制作方法包括:(1)微波基片前处理及电路图形保护;(2)激光束刻蚀微波基片形成一定深度的腔体;(3)微波基片后处理;本发明通过激光束的移动刻蚀出沟槽,而沟槽的重叠可以实现一定区域的材料去除。在需要刻蚀的区域内重复加工实现一定的刻蚀深度,从而形成一定深度的腔体结构。进一步利用激光能量清洁腔体底部,在不损害基体的同时达到清洁的目的。本发明具有控制精度高,效率高,环境友好,腔壁垂直度好,与微波基片电路制作工艺兼容性好等优点。
[专利] 发明专利 CN201810478271.6
摘要:本发明提供的无胶自排气保护膜包含一薄膜基材,薄膜表面具有等级凸起结构。第一级凸起结构形成于该薄膜表面,形成微米尺度的凸起阵列,第二级纳米尺度凸起结构位于第一级凸起结构之上,产生“壁虎脚”效应,通过两级凸起结构来适应起伏粗糙的被贴附物表面,实现保护膜纳米尺度凸起与被帖物之间的理想接触,进而保证大量范德华力的叠加产生足够的黏附力;同时,等级凸起结构之间的间隙提具有等级孔道的供导气孔路以实现快速排气,保证大面积的理想贴合。
[专利] 发明专利 CN201810420677.9
李扬渊 2018-08-21
摘要:本发明公开一种能够实现超声波传感的电子设备,包括:基板,该基板为玻璃基板,该基板上表面边缘具有下沉区;超声波传感器电路,形成在所述基板上的非下沉区;外接引线,部分所述外接引线设置在所述下沉区;所述超声波传感器电路上方的覆盖板,所述覆盖板与所述超声波传感器电路之间包括结合层。本发明将外接引线安装在基板上表面的下沉区中,覆盖板的位置被降低,因此超声波传感器电路上方的结合层的厚度大大降低,降低了超声波信号在发射和接收过程中的损失。
[专利] 发明专利 CN201810398572.8
南京邮电大学 2018-08-24
摘要:本发明公开了一种硅基结构的微热板及其制备方法,所述微热板的衬底采用晶向为<100>的单晶硅,所述衬底表面由内致外依次覆盖有多孔硅层、绝热层和加热区,所述绝热层为二氧化硅层,所述加热区为Pt电极;其中,衬底背部与多孔硅层被腐蚀成坑。本发明的微热板在原有的腐蚀基础上,进一步腐蚀中间的多孔硅层。腐蚀后的绝热层,与空气接触面积变大,因为空气的导热性能差,所以可以有效的防止工作区的热量散失到硅基上;新设计的旁热式Pt电极能将热量有效的集中在工作区域内,提高工作效率。所述制备方法成本低,加工工艺稳定,易于批量生产。
[专利] 发明专利 CN201810348331.2
摘要:本发明公开了一种基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法。MEMS摩阻传感器分解为浮动元件、硅微结构、电极基板、接口电路和封装管壳5个部分,硅微结构和电极基板采用MEMS加工工艺制作,浮动元件采用和装管壳采用精密机械加工技术制作,接口电路采用陶瓷基精密微带电路技术制作。MEMS摩阻传感器采用专门的微组装设备和微组装工艺,微组装设备由精密视觉定位系统、三自由度微操作对准平台、真空吸头和图像辨识系统构成;利用视觉精密定位和微操作对准技术完成MEMS摩阻传感器的组装。本发明的基于视觉对准的MEMS摩阻传感器制作方法,提高了MEMS摩阻传感器加工、组装精度,进而提高了其在高超声速风洞内表面摩擦阻力测量的精准度。
[专利] 发明专利 CN201810345931.3
摘要:本发明公开了一种吊装式可释放应力的MEMS器件封装结构,MEMS芯片由管壳基座和管壳盖板密封在其中,包含一U形板架,U形板架的开口朝向侧面,使U形板架下方粘接在管壳基座内部的底面上,MEMS芯片顶部粘接悬挂在U形板架的开口空间内。本发明提供的吊装式可释放应力的MEMS器件封装结构,其芯片级封装采用了衬底背面环形沟槽应力释放设计,其管壳级封装采用了基于U形板架吊装MEMS芯片的应力释放设计,独特的两级应力释放设计实现了对敏感结构很好的应力隔离。该封装结构不显著增加MEMS器件的封装难度,易于实现。
[专利] 发明专利 CN201810372288.3
大连理工大学 2018-08-17
摘要:本发明属于对准键合技术领域,涉及一种用于MEMS器件制作的对准键合装置。该装置包括底座、主二维式移动平台、支撑架、副三维式移动平台、调平组件、旋转组件和CCD观测组件;底座上设有支架,支架可拆卸安装CCD观测组件;主二维式移动平台固定在底座上,支撑架固定在主二维式移动平台上;副三维式移动平台固定在支撑架上,XY轴移动平台是磁铁式移动平台,Z轴移动平台是螺旋丝杆平台;调平组件是球面接触式调平,固定在Z轴移动平台上;旋转组件用于球面接触式调平,位于调平组件的上方,底部的不完整球体与调平组件相接触。本发明的对准键合装置集对准、调平和键合功能为一体,解决了手动对准芯片误差较大的问题。
[专利] 发明专利 CN201810306905.X
北京工业大学 2018-07-24
摘要:一种对流量不敏感的微型热导检测器,属于微电子机械系统领域。在硅基底背面蚀刻“总分总”形式的微通道作为气流通道,在硅基底正面采用蚀刻技术将硅基底贯穿形成两个微长方体热导池,同时形成位于硅基底正面的网状支撑膜及其上的热敏电阻并悬挂于热导池上方,最后硅基底分别与玻璃盖板及玻璃衬底键合完成制作。该结构实现了气流通道与热敏电阻非共平面设计,并结合分支形式的微通道布置,实现气流通道与热导池的半扩散式设计,大大减小了气体流量波动对于热导检测器工作性能的影响,并同时兼顾了响应速度的要求。此外,非共平面设计避免了传统设计中通道对于电路集成的干扰,使得在硅基底正面直接集成电桥及相关电路变得简单易行。
[专利] 发明专利 CN201810280483.3
摘要:本发明公开了一种具有微型结构单元的表面装饰材料,由上至下依次包括透明基底层、粘结剂层、纹理层、镀层和着色层,所述纹理层包括基层和微型结构层,所述基层设置于所述粘结剂层与所述微型结构层之间,所述微型结构层由微结构单元交替排列而成。本发明1)本发明的具有微型结构单元的表面装饰材料利用光线在微型结构单元侧面上的反射或者折射,从而实现不同的光影明暗变化;2)利用微观上的微结构纹理,实现宏观视觉上的明暗变化和光影变化。
[专利] 发明专利 CN201810266776.6
摘要:本发明涉及一种应用于射频领域的大功率MEMS开关,包括有衬底,衬底上方分布有微波传输线,微波传输线的左右两侧设置有第一共面波导传输线地线与第二共面波导传输线地线,微波传输线的前端设置有功分结构,微波传输线的后端设置有合路结构,微波传输线的上方架设有悬浮结构,功分结构、合路结构之间设置有开关结构,开关结构之间设置有悬浮地结构,微波传输线、衬底之间设置有驱动结构。由此,采用了功分结构和合路结构,对射频MEMS的功率容量进行扩展,由功分结构和合路结构对射频信号功率进行分配与合路,避免了直接并联开关所带来的趋肤效应的影响,提高了开关的功率容量。设计简单方便,功分结构和合路结构可以叠加形成树形结构,易于扩展。
[专利] 发明专利 CN201810256851.0
摘要:本发明提供了一种用于测量液体粘度的MEMS芯片,所述MEMS芯片包括衬底,该衬底上设有储液池、位于该储液池上方的悬臂梁、设置在该储液池一侧的液体流道以及与液体流道相连通的滴液口,其中,在该悬臂梁上设有用于静电驱动的第一驱动电极;所述衬底上还设有与所述第一驱动电极对应的第二驱动电极;所述储液池用于收容待测量液体;所述悬臂梁用于测量该液体的粘度变化。本发明的MEMS芯片结构更加简单,生产成本更低,生产效率更高,并且可广泛应用于医疗卫生、石油、化工、冶金、国防等技术领域。另外,采用本发明的MEMS芯片测量液体粘度的测量方法,检测精度更高,与IC兼容性更高,更适合个人化与家庭化的使用。
[专利] 发明专利 CN201810220141.2
摘要:本发明提供一种氢气传感器及其加工方法和用途,属于氢气传感器领域。通过MEMS加工工艺获得的氢气传感器,包括硅基底,所述硅基底上表面设有绝热层,所述硅基底下表面开有一对延伸至所述绝热层的绝热槽,所述绝热层表面设有位于绝热槽的正上方的第一贵金属催化层和第二贵金属催化层,所述第一贵金属催化层的表面覆盖有一层隔绝空气层,所述第二贵金属催化层开有气孔,所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层与一对低温度系数参比电阻串联并组成惠斯通电桥。所述硅基底上方设置有温度温敏电阻。本发明提供的氢气传感器可以同时在催化燃烧和热导两种模式下工作,体积小,功耗低,响应快,使用寿命长。
[专利] 发明专利 CN201810220145.0
摘要:本发明提供一种MEMS可燃气体传感器及其加工方法,包括硅基底,硅基底的下表面设有2个绝热槽,上表面设有绝热层,绝热层表面设有对称分布且为多孔结构的第一贵金属催化层和第二贵金属催化层,第一贵金属催化层和第二贵金属催化层分别位于2个绝热槽的正上方,第一贵金属催化层表面设有气体隔绝层,第二贵金属催化层表面开有透气孔,气体隔绝层表面设有一组参比电阻,且与第一贵金属催化层和第二贵金属催化层串联,气体隔绝层边缘设有若干引线窗口。本发明提供的MEMS可燃气体传感器体积小,功耗低,性能稳定,加工方法简单,生产效率高。
[专利] 发明专利 CN201810209247.2
河南科技大学 2018-08-24
摘要:一种微纳模具型槽的制备方法,包括镀膜步骤:在等离子体增强化学气相沉积镀膜机中,采用Si片作为基体材料,在基体材料表面沉积SiC膜层;光刻步骤:采用光刻工艺将掩膜的图形转移到SiC膜层上;刻蚀步骤:采用感应耦合等离子体刻蚀机在SiC膜层上刻蚀型槽。本发明制备的模具型槽,导热系数高、热膨胀系数小,耐火、耐磨性强,对氢氧化钾碱溶液和氟化氢酸溶液等腐蚀剂都有抗腐蚀作用。
[专利] 发明专利 CN201810202445.6
长春师范大学 2018-07-20
摘要:本发明涉及石墨烯批量化装配技术,具体是一种基于光介电泳的石墨烯快速、自动化、大规模装配方法,主要用于石墨烯器件加工制造领域。本发明结合光介电泳与微流控技术,通过微泵利用AgNO3溶液在光介电泳引导下,发生氧化还原反应从而生成Ag的原理,在石墨烯上持续自动化构造Ag电极,从而实现石墨烯批量化装配。本发明能低成本快速、可控、自动化地实现石墨烯批量化装配,对石墨烯器件制造具有重要的实用意义。
[专利] 发明专利 CN201810199162.0
摘要:本发明公开了一种柔性薄膜基底上微纳米结构的高精度制备方法,主要步骤如下:首先在高真空的条件下,将绷紧的柔性薄膜无间隙紧密地贴合在高平面度的硬质材料基底表面,实现柔性薄膜“硬质化”的目的,并且由于薄膜上下表面气压差以及薄膜与基底之间摩擦力的存在,柔性薄膜受力不易产生形变;然后利用微纳米加工技术在硬质化的柔性薄膜上制备微纳米结构;最后将表面具有高精度微纳米结构的柔性薄膜从硬质基底上取下。与现有加工方法相比,该方法解决了微纳米加工过程中柔性薄膜易受力发生形变、与掩模版贴合不紧密等问题,使得微纳米结构的线宽精度、位置精度大幅度提高,实现了柔性薄膜基底上微纳米结构的高精度制备。
[专利] 发明专利 CN201810199159.9
摘要:本发明公开了一种制备柔性薄膜基底微纳米结构的充气薄膜方法,本发明首先使用上下两个夹具将柔性薄膜基底夹持;然后将带有充气孔的背板固定在下夹具的下方;在接触式曝光过程中,利用通入的气体将柔性薄膜基底及其表面的光刻胶与掩模版无间隙紧密贴合,从而获得高精度的微纳米结构。与现有的直接接触式曝光制备柔性薄膜基底微纳米结构技术相比,具有薄膜基底与掩模版贴合紧密、微纳米结构线宽和深度均匀性好、工艺重复性和可靠性高等优点。
[专利] 发明专利 CN201810195059.9
淮阴工学院 2018-08-28
摘要:本发明涉及微纳材料制备技术领域,公开了一种氧化锌薄膜及其制备方法和应用,该薄膜上具有至少一个纳米环状周期性结构的图案,各纳米环状周期性结构中均具有若干纳米环;各纳米环的线宽均为40~200 nm,槽深均为40~80 nm;周期均为80~400 nm;制备方法为:制备纳米环状周期性结构的光刻胶母板;使用该母板通过软纳米压印光刻技术制备纳米环状周期性结构的柔性转移模板;将柔性转移模板置于已经旋涂成膜的氧化锌前聚体上,加热加压后移除柔性转移模板得氧化锌薄膜。本发明中的氧化锌薄膜结晶程度高,形貌均匀有序,能实现对光的有序调控,增强电子迁移复合,具有广阔的应用前景。
[专利] 发明专利 CN201810194619.9
清华大学 2018-08-24
摘要:本申请提供一种原子腔的制备方法,包括以下步骤:提供预封装原子腔结构和封装基底,并将封装基底和预封装原子腔结构清洗备用。提供被填充物,将被填充物填充入盲孔。用封装基底覆盖预封装原子腔结构,施加接触压力。加热,在预封装原子腔结构和封装基底之间施加键合电压,得到预键合的原子腔室。在缓冲气体氛围内,加热,在预封装原子腔结构和封装基底之间施加键合电压。键合完成后断开键合电压,停止加热,撤除压力,自然降温至室温。通过对预封装原子腔结构和封装基底先进行预键合,再在缓冲气体中进行一次键合,可以增强键合强度和原子腔的气密性,还可以有效避免预键合的原子腔因为键合强度不够导致空气进入原子腔内的问题。
[专利] 发明专利 CN201810186672.4
摘要:本发明涉及一种晶圆级异质集成高频系统以及制作方法,至少包括第一衬底、第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片;其中:所述第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片设置于第一衬底、第二衬底之间,包括与所述第一衬底连接的第一芯片和与所述第二衬底连接的第二芯片;所述绝缘键合层上设置有至少一个通孔,所述通孔侧壁涂覆有导电涂层;所述至少两个芯片中的一个与第一衬底连接,至少两个芯片中的另一个与第二衬底连接,且至少两个芯片通过所述通孔进行电连接;所述第一衬底和/或第二衬底上设置有晶圆间键合层对准材料;所述晶圆间键合层对准材料支撑连接所述第一衬底和所述第二衬底。本发明实施例,有效的提升系统集成度,实现小型化目标。
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