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纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
成果信息
立项支持
  • 公布年份:
    2008
  • 中图分类:
    TM914.4
  • 关键词:
  • 成果简介:
    该成果用纳米晶硅代替通常的非晶硅作为发射极和本征缓冲层,有效改善蓝光波段的量子效率,增加载流子收集;优化钝化工艺,实现低的界面缺陷密度。有效降低界面缺陷密度及提高薄膜层的质量,并实现了HWCVD技术的大面积均匀沉积(10cm×10cm,不均匀性<±5%),为高效电池提供基础;采用设备结构相对简单、成本低、无离子轰击的HWCVD低温工艺,有利于降低界面缺陷及提高薄膜层质量;较为简化的技术路线,采用无织构CZ硅衬底,无背面掺杂薄膜电极,获得高转换效率,有利于降低电池成本;从已有文献,尚未见用HWCVD技术制备纳米晶硅/晶体硅异质结太阳能电池光电转换效率高于17.3%的报道。
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