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高压大功率深槽型超级结MOSFET技术开发
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  • 公布年份:
    2018
  • 中图分类:
    TM564
  • 关键词:
  • 成果简介:
    超级结器件作为一种新型高端MOSFET开关器件,其开关频率高,单位面积导通电阻低,在工作中功耗非常小,几乎不需要专用的散热器件,因而英飞凌的超级结产品也被称为CoolMOS。使用超级结的开关电源有着高转换效率,低功率损耗以及超小的电源系统体积的优点,越来越多的被新型电器产品所使用。 在该公司深沟槽型超级结工艺平台开发之前,业界的超级结的主流加工方法是工艺成熟度高,难度低的多次外延成长的加工方式,但是其结构和加工过程已经被大量的专利所保护。深沟槽型制作方法由于工艺难度大,没有被广泛用在产品的生产加工中。该公司通过广泛的技术调研和内部讨论,明确了建立要有自主知识产权的超级结工艺平台发展方向,选择了工艺难度大,但是技术壁垒少的深沟槽加工方式,通过不懈努力终于开发成功,同时也针对特有的工艺特点,申请了大量的技术专利,为该公司的提供了坚实的知识产权保护。 该项目主要技术方案为通过深沟槽刻蚀加P型EPI填充的加工方式。在项目进行中,创新完成了超40μm深沟槽刻蚀和填充工艺,为客户提供了标准的深沟槽超级结加工工艺平台和设计规则,创建了有效的深沟槽监控手段,同时不断对平台的工艺能力和器件性能进行优化,不断提升了工艺平台的加工能力同时又提升了平台产品的竞争力。 该公司的超级结平台以600V~750V为主,最单位面积通电阻可以达到1.8ohm-mm2,与业界主流产品(~2.0ohm-mm2)相比有一定优势。而该公司最新研发成功的第三代平台产品的比导通电阻更是低至1.2ohm-mm2,达到国际商业化超级结器件生产的最高水平。该公司开发的超级结产品已经经过了大量的终端客户验证,在稳定性和可靠性方面也均完全满足业界要求,得到了众多厂商的认可。 该项目已进入大规模量产,截至2018年3月底,公司因此累计新增产值80,797.88万人民币,实现净利润13,641.17万人民币,新增税收7,883.32万人民币,创收外汇5,287.25万美元。其中,在2015~2017期间内,新增产值63,965.52万人民币,实现净利润11,237.53万人民币,新增税收6,420.53万人民币,创收外汇3,975.68万美元,产品销往欧洲、北美、韩国、日本、台湾地区、香港地区以及中国大陆等市场。 在项目执行过程中,该项目共申请专利95项(国内发明专利88项,实用新型1项,美国发明专利6项),其中获得国内授权专利80项,国外授权专利6项。通过与电子科技大学合作,培养了超过10名硕士、博士研究生。
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