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GaN基电路的振荡问题及稳定性研究
摘要: 氮化镓(GaN)器件基于高开关速度、低导通电阻以及更高的电流密度等性能优势成为了应用热点。但是GaN器件在应用中开关速度极快,且在满足环路布局设计需求时,其高频环路阻尼较小,这会导致电路容易发生误开通振荡,并带来GaN基电路的稳定性问题,如发散振荡,特别是在桥式电路中。因此,本文将从电路和稳定性两个角度对桥式电路中的振荡及稳定性问题展开研究。
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